[发明专利]一种闪存芯片及其校准方法和装置

说明书

本发明提供一种闪存芯片及其校准方法和装置，可利用闪存单元的可调权重等级对该闪存芯片中的工作阵列进行校准，具体可通过设置用于校准工作阵列的至少一个参考阵列，并且参考阵列中的闪存单元的数量大于或等于该闪存单元的可调权重等级N；参考阵列的N个闪存单元的初始权重值与闪存单元的N级可调权重一一对应，多余的闪存单元作为冗余单元备用；校准时，根据参考阵列中闪存单元的实时权重值、初始权重值校准工作阵列中闪存单元的实时权重值，以此实现工作阵列中闪存单元权重的离线更新校准，补偿了漏电现象对闪存单元权重的影响，能够提高存储数据的精度。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种闪存芯片及其校准方法和装置。

背景技术

闪存芯片是一种长寿命的非易失性存储器芯片，由于其断电时仍能保存数据，所以闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等，应用十分广泛。

但是，随着闪存芯片使用时间的增加，其闪存单元(即闪存晶体管)存在漏电现象，由于闪存单元的权重(即闪存晶体管中存储的数据)与闪存单元中存储的电子数量相关，漏电会导致闪存单元中的电子数量减少，即闪存单元的权重(即闪存晶体管中存储的数据)发生偏移，降低了存储数据的精度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种闪存芯片及其校准方法、装置、设备和介质，能够解决漏电导致存储数据的精度降低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：、

第一方面，提供一种闪存芯片，包括：工作阵列以及用于校准该工作阵列的至少一个参考阵列；

该工作阵列和该参考阵列均由多个可调权重等级为N的闪存单元组成，该闪存单元具有N级可调权重；

该参考阵列中闪存单元数量大于或等于该可调权重等级N；

该参考阵列的N个闪存单元的初始权重值与N级可调权重一一对应。

进一步地，闪存芯片还包括：读取电路，

该读取电路连接该工作阵列以及该参考阵列，用于读取该工作阵列以及该参考阵列中的闪存单元的权重值。

进一步地，闪存芯片还包括：编程电路，

该编程电路连接该工作阵列以及该参考阵列，用于控制该工作阵列以及该参考阵列中的闪存单元的权重值。

进一步地，闪存芯片还包括：行列译码器，

该行列译码器连接该工作阵列以及该参考阵列，用于选通该工作阵列以及该参考阵列中的闪存单元。

进一步地，闪存芯片还包括：控制器，

该控制器连接该读取电路、该编程电路以及该行列译码器，用于控制该读取电路、该编程电路以及该行列译码器工作。

第二方面，提供一种闪存芯片校准方法，用于上述闪存芯片，该闪存芯片校准方法包括：

根据闪存单元的可调权重设置参考阵列中闪存单元的初始权重值；

根据参考阵列中闪存单元的实时权重值、初始权重值校准工作阵列中闪存单元的实时权重值。

进一步地，该根据闪存单元的可调权重设置参考阵列中闪存单元的初始权重值，包括：

将参考阵列的N个闪存单元中每个闪存单元的初始权重值设置为与一级可调权重相等，使N个闪存单元的初始权重值与N级可调权重一一对应相等。

进一步地，该根据参考阵列中闪存单元的实时权重值、初始权重值校准工作阵列中闪存单元的实时权重值，包括：

根据该参考阵列中闪存单元的实时权重值获取其校准目标权重值；