[发明专利]用于半导体射频处理装置的温度测量方法有效
| 申请号： | 201811439218.1 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111238669B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 荒见淳一;周仁 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16;H01J37/32 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 陈福昌 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 射频 处理 装置 温度 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.用于半导体射频处理装置的温度测量方法，其中，该射频处理装置具有用于产生等离子的一对电极及用于支撑晶圆的一加热盘，该加热盘具有至少一温度传感器及至少一加热线圈，其特征在于，该方法包含：
由该对电极，产生一射频讯号序列，该射频讯号序列包含复数个不连续射频讯号，其中任一射频讯号与其下一个射频讯号相隔一时间区间，该时间区间由一时间常数决定，该时间常数由该加热盘的一盘体顶面及该至少一加热线圈之间的一热阻值与一热容量值决定，所述热阻值与所述热容量值是由已加热的加热盘所测量获得；及
由该至少一温度传感器，于该时间区间的期间，产生一温度感测讯号。
2.按照权利要求1所述的用于半导体射频处理装置的温度测量方法，其特征在于：该时间区间小于该时间常数的十分之一。
3.按照权利要求1所述的用于半导体射频处理装置的温度测量方法，其特征在于：所述加热盘的量测是给予一步阶函数信号进行加热并量测该加热盘的一温度响应。
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