[发明专利]一种锑硫硒合金薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种组分均匀的锑硫硒合金薄膜的制备方法，其特征在于，以硒化锑粉末作为第一蒸发源，以单质硫粉或硫化锑粉末作为第二蒸发源，所述第一蒸发源置于第一温区，所述第二蒸发源置于第二温区，所述第一温区的工作温度高于所述第一蒸发源的熔点温度，所述第二温区的工作温度高于所述第二蒸发源的熔点温度，在低于5Pa的真空度下，分别在第一温区和第二温区的工作温度下，加热所述第一蒸发源和第二蒸发源，在衬底上通过气相沉积形成锑硫硒合金薄膜；

所述第一温区的工作温度高于所述第一蒸发源的熔点温度20～50℃；所述第二温区的工作温度高于所述第二蒸发源的熔点温度20～50℃；

所述硫化锑或硒化锑作为蒸发源时，其对应所在的温区的工作温度为520～540℃，以单质硫粉作为蒸发源时，其对应所在温区的工作温度为200～220℃；

所述衬底位于所述第一温区和第二温区的气流下游，所述衬底距离所述第一蒸发源100～205mm，所述衬底距离第二蒸发源345～445mm；

所述衬底置于支架上，所述支架材料为石墨，所述衬底的待沉积表面与气流方向的夹角在65度到75度之间；所述衬底的温度为20℃～400℃；使得所述第一蒸发源和所述第二蒸发源的气相在气流的作用下向衬底方向横向传输至温度较低的衬底表面而进行沉积，获得组分均匀的锑硫硒合金薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底材料为钙钠玻璃、石英玻璃、ITO透明导电玻璃或FTO透明导电玻璃。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述ITO透明导电玻璃或FTO透明导电玻璃表面沉积有CdS薄膜。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一蒸发源和所述第二蒸发源加热时间为1s～1h。