[发明专利]气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种气体簇射头，其包括：

板；

多个中心孔，其具有第一孔密度，所述多个中心孔安置于所述板的中心区域中且经配置以形成材料膜的第一部分，其中所述多个中心孔的上开口的直径等于所述多个中心孔的下开口的直径；

多个周边孔，其具有大于所述第一孔密度的第二孔密度，在所述板的周边区域中，且经配置以形成所述材料膜的第二部分；

多个第一中间孔，其具有第三孔密度，所述多个第一中间孔安置在所述中心区域与所述周边区域之间的第一中间区域中，其中所述第一中间区域中的所述第三孔密度在所述中心区域中的所述第一孔密度与所述周边区域中的所述第二孔密度之间；及

多个第二中间孔，其具有第四孔密度，所述多个第二中间孔安置在所述中心区域与所述第一中间区域之间的第二中间区域中，其中所述第二中间区域中的所述第四孔密度在所述中心区域中的所述第一孔密度与所述第一中间区域中的所述第三孔密度之间，其中所述周边区域的宽度、所述第一中间区域的宽度及所述第二中间区域的宽度基本上相同，

其中所述材料膜的所述第一部分包括对应于所述中心区域中的所述第一孔密度的第一厚度，且所述材料膜的所述第二部分包括对应于所述周边区域中所述第二孔密度并大于所述第一厚度的第二厚度。

2.根据权利要求1所述的气体簇射头，其中所述周边区域中的所述第二孔密度为所述中心区域中的所述第一孔密度的2至4倍。

3.根据权利要求1所述的气体簇射头，其中所述中心孔及所述周边孔经布置于同心圆中。

4.根据权利要求1所述的气体簇射头，其中所述中心孔及所述周边孔包括相同形状及相同孔直径。

5.根据权利要求1所述的气体簇射头，其中所述中心孔、所述第一中间孔、所述第二中间孔及所述周边孔经布置于同心圆中。

6.根据权利要求1所述的气体簇射头，其中所述中心孔、所述第一中间孔、所述第二中间孔及所述周边孔包括相同形状及相同孔直径。

7.根据权利要求1所述的气体簇射头，其中任何两个相邻所述周边孔之间的距离小于任何两个相邻所述第一中间孔之间的距离，任何两个相邻所述第一中间孔之间的距离小于任何两个相邻所述第二中间孔之间的距离，且任何两个相邻所述第二中间孔之间的距离小于任何两个相邻所述中心孔之间的距离。

8.一种成膜设备，其包括：

反应室；

底座，其安置于所述反应室内部且经配置以支撑衬底；及

气体簇射头，其在所述底座上方，所述气体簇射头包括：

多个第一孔，其安置于所述气体簇射头的中心区域中，其中所述多个第一孔的上开口的直径等于所述多个第一孔的下开口的直径；

多个第二孔，其安置于所述气体簇射头的周边区域中；

多个第三孔，其安置于所述中心区域与所述周边区域之间的第一中间区域中；及

多个第四孔，其安置于所述中心区域与所述第一中间区域之间的第二中间区域中，其中所述周边区域的宽度、所述第一中间区域的宽度及所述第二中间区域的宽度基本上相同，任何两个相邻所述第二孔之间的距离小于任何两个相邻所述第三孔之间的距离，任何两个相邻所述第三孔之间的距离小于任何两个相邻所述第四孔之间的距离，且任何两个相邻所述第四孔之间的距离小于任何两个相邻所述第一孔之间的距离，

其中所述第一孔经布置以形成第一图案且经配置以在所述衬底上形成材料膜的第一部分，所述第二孔经布置以形成第二图案且经配置以在所述衬底上形成所述材料膜的第二部分，且所述第二图案的孔密度大于所述第一图案的孔密度。

9.根据权利要求8所述的成膜设备，其中所述第一部分的厚度对应于所述第一图案的所述孔密度，所述第二部分的厚度对应于所述第二图案的所述孔密度，且所述第二部分的所述厚度大于所述第一部分的厚度。

10.根据权利要求8所述的成膜设备，其中所述第一孔及所述第二孔从所述气体簇射头的中心至所述气体簇射头的圆周而布置于同心圆中。