[发明专利]一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的制备方法

权利要求书

1.一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，该涂层制备方法主要包括以下几个步骤：

1)对喷涂前的零件进行喷砂，并将未喷涂区域进行遮挡保护；

2)用大气等离子喷涂工艺向基体喷涂氧化钇涂层；

3)喷涂后，将遮挡保护去掉，清洗零部件，保证零件洁净度。

2.如权利要求1所述的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1)的喷砂可以采用自动喷砂或者手动喷砂，喷砂材料可以采用金刚玉或二氧化硅材料；保护方法可以采用胶带遮蔽或工装保护。

3.如权利要求1所述的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤2)的大气等离子喷涂工艺参数如下：氩气流量是90-130nplm；氢气流量是10-15nlpm；电流是510-550A；喷枪移动速度是1300-1500mm/sec；送粉速率是50-70g/min；喷涂距离是170-200mm。

4.如权利要求1所述的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，步骤2)采用氧化钇粉末是团聚球状，粉末纯度≥99.5％，粉末直径范围是30-45μm。

5.如权利要求1所述的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，氧化钇涂层厚度范围是220-270μm。

6.如权利要求1所述的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，氧化钇涂层可应用在刻蚀、PECVD等半导体设备的关键零部件上。

7.如权利要求1所述的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，零件的基体是铝合金，获得的氧化钇的孔隙率＜5％，涂层的结合力＞12MPa，显微硬度＞3GPa,耐腐性＞120min。