[发明专利]半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置

说明书

本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置。

背景技术

聚焦环在半导体制造装置的处理室内被配置于载置台上的晶圆的周缘部，在处理室内进行等离子体处理时，使等离子体朝向晶圆W的表面聚敛。此时，聚焦环曝露于等离子体，发生消耗。

其结果是，在晶圆的边缘部处，离子的照射角度变斜，蚀刻形状发生倾斜(tilting)。另外，晶圆的边缘部的蚀刻率变动，晶圆W的面内的蚀刻率变得不均匀。因而，聚焦环在发生了规定以上消耗时更换为新的聚焦环。但是，此时发生的更换时间成为生产率降低的一个要因。

与此相对，提出了将从直流电源输出的直流电流施加于聚焦环，由此控制蚀刻率的面内分布的方案(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2009-239222号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1中，在聚焦环的表面形成的鞘层的变化大，等离子体的状态变化变大，因此存在对蚀刻率或者倾斜的控制性欠缺的问题。

同样，在聚焦环以外的在半导体制造装置中使用的、因暴露于等离子体而发生消耗的构件中，因构件的消耗而在构件的表面形成的鞘层发生变化，与该变化相应地等离子体的状态发生变化。

针对所述课题，本发明的一方面的目的在于，使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一方式，提供一种半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。

发明的效果

根据一方面，能够使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。

附图说明

图1是示出一实施方式所涉及的半导体制造装置的截面的一例的图。

图2是用于说明聚焦环的消耗导致的蚀刻率以及倾斜的变动的图。

图3是示出一实施方式所涉及的聚焦环的截面的一例的图。

图4是示出一实施方式所涉及的聚焦环的上表面的一例的图。

图5是示出一实施方式所涉及的绝缘构件的特性的一例的图。

图6是示出一实施方式的变形例所涉及的聚焦环的截面的一例的图。

附图标记说明

1：半导体制造装置；10：处理容器；11：载置台；15：隔板；18：排气装置；21：第一高频电源；22：第二高频电源；23：隔直电容器；25：静电卡盘；25a：吸附电极；25b：介电层；25c：基台；26：直流电源；28：直流电源；30：聚焦环；30a、30b：构件；30a1：凸部；30c：绝缘构件；30d：间隙；31：制冷剂室；35：传热气体供给部；43：控制部；50：铝环。

具体实施方式

以下，参照附图说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书以及附图中，关于实质上相同的结构附加相同的符号并省略重复的说明。

[半导体制造装置]