[发明专利]层状结构、包括层状结构的电子装置、包括电子装置的系统和制造层状结构的方法在审
| 申请号： | 201811441589.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109841862A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 藤田静雄;小野雅文;内田贵之;金子健太郎;田中孝;柳生慎悟;四户孝;井川拓人 | 申请（专利权）人： | 流慧株式会社;爱德株式会社;国立大学法人京都大学 |
| 主分类号： | H01M8/0228 | 分类号： | H01M8/0228 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 周丹;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 基底 热氧化膜 氧化物 层状结构 原子组成 电子装置 原子比 制造 | ||
1.一种层状结构，包括：
基底，所述基底包括作为主要组分的第一金属和不同于所述第一金属的第二金属；以及
所述基底的热氧化膜，所述热氧化膜布置在所述基底上且包括所述第一金属的氧化物和所述第二金属的氧化物，
包含在所述基底中的所述第一金属的原子组成比高于包含在所述基底中的所述第二金属的原子组成比，
包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第一金属的原子组成比小于包含在所述基底中的所述第一金属的原子组成比，并且
包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第二金属的原子比等于或大于包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第一金属的原子比。
2.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述第一金属包括铁(Fe)。
3.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述第一金属包括铝(Al)。
4.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述第二金属包括选自周期表中VI族金属的金属。
5.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述基底包括不锈钢。
6.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述基底包括在所述基底的至少一部分表面上的不平坦形状。
7.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述基底包括不平坦的表面。
8.如权利要求6所述的层状结构，其中，
所述基底的所述不平坦形状包括凹槽。
9.如权利要求1所述的层状结构，其中，
所述基底包括双极板。
10.如权利要求1所述的层状结构，进一步包括：
包括导电氧化物且布置在所述热氧化膜的至少一部分上的膜。
11.如权利要求10所述的层状结构，其中，
包含在所述膜中的所述导电氧化物包括选自锡(Sn)、钛(Ti)、锆(Zr)、锌(Zn)、铟(In)和镓(Ga)中的至少一种金属。
12.如权利要求10所述的层状结构，其中，
所述膜进一步包括选自铌(Nb)、氟(F)、锑(Sb)、铋(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、钒(V)、磷(P)和钽(Ta)中的至少一种化学元素。
13.一种电子装置，包括：
如权利要求1所述的层状结构。
14.如权利要求13所述的电子装置，其中，
所述电子装置包括燃料电池。
15.一种系统，包括：
如权利要求13所述的电子装置；以及
电连接到所述电子装置的中央处理单元。
16.一种层状结构，包括：
基底，所述基底包括作为主要组分的第一金属和不同于所述第一金属的第二金属；
所述基底的热氧化膜，所述热氧化膜布置在所述基底上且包括所述第一金属的氧化物和所述第二金属的氧化物；以及
膜，所述膜包括导电氧化物且布置在所述热氧化膜的至少一部分上，
包含在所述基底中的所述第一金属的原子组成比高于包含在所述基底中的所述第二金属的原子组成比，
包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第一金属的原子组成比小于包含在所述基底中的所述第一金属的原子组成比，并且
包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第二金属的原子比等于或大于包含在所述热氧化膜中的所述氧化物的所述第一金属的原子比。
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