[发明专利]一种光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种光电探测器的制作方法，其特征在于，包括：

在第一衬底上沉积SiN波导传输层，形成第一结构；

在第二衬底上制作PIN器件结构层，形成第二结构；

将所述第二结构的PIN器件结构层与所述第一结构的所述SiN波导传输层键合或压合；

去掉所述第二衬底，在所述PIN器件结构层上制作PIN结构，形成光电探测器，其中，所述SiN波导传输层上形成有波导结构；

所述PIN结构包括垂直分布的P型掺杂层、I型层、N型掺杂层；或

所述PIN结构包括水平分布的P型掺杂区、I型区、N型掺杂区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上沉积SiN波导传输层，形成第一结构，具体包括：

在所述第一衬底上沉积第一包层；

在所述第一包层上沉积SiN层；

在所述SiN波导 传输层上沉积第二包层，形成第一结构。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiN波导传输层上形成的波导结构具体包括：

形成于所述第二包层的主体结构和由所述主体结构延伸于所述SiN层内部的支出结构。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一衬底上沉积SiN波导传输层，形成第一结构，具体包括：

在所述第一衬底上沉积第三包层；

在所述第三包层上沉积SiN层，形成第一结构。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述SiN波导传输层上形成有波导结构，具体包括：

形成由所述SiN层表面延伸至该SiN层内部的支出结构。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在第二衬底上制作PIN器件结构层，形成第二结构，具体包括：

在所述第二衬底上沉积缓冲层，所述缓冲层为如下任意一种缓冲层：Ge缓冲层、GeOI缓冲层、SiGe缓冲层、InGaAs缓冲层、SiGeC缓冲层、SiGeSn缓冲层；

在所述缓冲层上制作PIN器件结构层，形成第二结构。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，去掉所述第二衬底，在所述PIN器件结构层上制作PIN结构，形成光电探测器，具体包括：

去掉所述第二衬底以及所述缓冲层；

在所述PIN器件结构层上制作PIN结构，形成光电探测器。

8.如权利要求1、3、5中任一所述的方法，其特征在于，在所述去掉所述第二衬底，在所述PIN器件结构层上制作PIN结构之后，还包括：

在所述传输层上沉积填充层，所述填充层围绕所述PIN结构以及填充在所述波导结构的空隙。