[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置包括设置在衬底上的中介层。中介层的第一主表面面向衬底。系统芯片设置在中介层的第二主表面上。中介层的第二主表面与中介层的第一主表面相对。多个第一无源装置设置在中介层的第一主表面中。多个第二无源装置设置在中介层的第二主表面上。第二无源装置是与第一无源装置不同的装置。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置。

背景技术

随着消费型装置响应消费者需求而变得越来越小，这些装置的各个组件的尺寸也必须减小。构成例如手机、平板计算机等装置的主要组件的半导体装置已应要求而变得越来越小，其中对应地半导体装置内的各个装置(例如，晶体管、电阻器、电容器等)的尺寸也必须减小。半导体制造技术的进步(例如，在垂直排列中形成多个组件)已实现了装置尺寸的减小。

发明内容

根据本揭露的实施例，一种半导体装置包括中介层、芯片、第一无源装置以及第二无源装置。中介层设置在衬底上。中介层的第一主表面面向衬底。系统芯片设置在中介层的第二主表面上。中介层的第二主表面与中介层的第一主表面相对。第一无源装置设置在中介层的第二主表面中。第二无源装置设置在中介层的第一主表面中。第二无源装置是与第一无源装置不同的装置。

根据本揭露的另一实施例，一种半导体装置包括硅中介层、多个深沟槽电容器、多个磁芯电感器以及多个半导体芯片。硅中介层具有第一主表面及与第一主表面相对的第二主表面。多个深沟槽电容器位于中介层的第二主表面中。多个磁芯电感器形成在中介层的第一主表面上的层中。多个半导体芯片具有设置在中介层的第二主表面上且电连接到中介层的集成电路。中介层设置在衬底上，中介层的第一主表面面向衬底并电连接到衬底。

根据本揭露的另一实施例，一种制作半导体装置的方法包括：在硅中介层的第二主表面中形成多个深沟槽电容器。在硅中介层的第一主表面上形成包括多个磁芯电感器的层。在硅中介层的第二主表面上形成多个微凸块。在硅中介层的第一主表面上形成多个C4焊料凸块。通过多个C4焊料凸块将中介层焊接到衬底，以使中介层的第一主表面面向衬底。将包括集成电路的多个半导体芯片焊接到中介层的第二主表面。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，将更好地理解本揭露。需强调，根据行业中的标准惯例，各种特征并不按比例绘制，而是仅用于说明目的。事实上，为论述的清晰起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本揭露实施例的2.5D衬底上晶片上芯片(CoWoS)半导体装置的剖视图。

图2示出根据本揭露实施例的3D CoWoS半导体装置的剖视图。

图3示出根据本揭露实施例的2.5D CoWoS半导体装置的剖视图。

图4示出根据本揭露实施例的制作图1所示2.5D CoWoS半导体装置的操作的剖视图。

图5示出根据本揭露实施例的制作图1所示2.5D CoWoS半导体装置的操作的剖视图。

图6示出根据本揭露实施例的制作图1所示2.5D CoWoS半导体装置的操作的剖视图。

图7示出根据本揭露实施例的制作图1所示2.5D CoWoS半导体装置的操作的剖视图。

图8示出根据本揭露实施例的制作图1所示2.5D CoWoS半导体装置的操作的剖视图。

图9示出根据本揭露实施例的制作图1所示2.5D CoWoS半导体装置的操作的剖视图，且此剖视图示出与图1中的结构相同的结构。

图10示出根据本揭露实施例的2.5D CoWoS半导体装置的剖视图。

图11示出根据本揭露实施例的3D CoWoS半导体装置的剖视图。

图12示出根据本揭露实施例的2.5D CoWoS半导体装置的剖视图。