[发明专利]用于集成电路的光干扰侦测方法及相应的集成电路

权利要求书

1.一种用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，将包括一正反器和一二极管的电路置于所述集成电路中；所述二极管的受光面积大于所述集成电路中寄生二极管的受光面积；所述正反器的一输出端与所述二极管相连接；基于与所述二极管相连接的输出端在正反器重置后的状态，判断出光干扰侦测结果。

2.根据权利要求1所述的用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NOR门和第二逻辑NOR门；所述第一逻辑NOR门与所述第二逻辑NOR门交叉耦接；所述第一逻辑NOR门的输出端与所述二极管的阳极相连接，或者，所述第二逻辑NOR门的输出端与所述二极管的阴极相连接。

3.根据权利要求1所述的用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NOR门和第一逻辑NOT门；所述第一逻辑NOR门和所述第一逻辑NOT门交叉耦接；所述第一逻辑NOR门的输出端与所述二极管的阳极相连接，或者，所述第一逻辑NOT门的输出端与所述二极管的阴极相连接。

4.根据权利要求1所述的用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NAND门和第二逻辑NAND门，所述第一逻辑NAND门和第二逻辑NAND门交叉耦接；所述第一逻辑NAND门的输出端与所述二极管的阴极相连接，或者，所述第二逻辑NAND门的输出端与所述二极管的阳极相连接。

5.根据权利要求1所述的用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NAND门和第一逻辑NOT门；所述第一逻辑NAND门和第一逻辑NOT门交叉耦接；所述第一逻辑NAND门的输出端与所述二极管的阴极相连接，或者，所述第一逻辑NOT门的输出端与所述二极管的阳极相连接。

6.根据权利要求2或3所述的用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，所述基于与所述二极管相连接的输出端在正反器重置后的状态，判断出光干扰侦测结果，包括：

如果与所述二极管相连接的输出端在正反器重置后的状态等于1，则判断出有光干扰。

7.根据权利要求4或5所述的用于集成电路的光干扰侦测方法，其特征在于，所述基于与所述二极管相连接的输出端在正反器重置后的状态，判断出光干扰侦测结果，包括：

如果与所述二极管相连接的输出端在正反器重置后的状态等于0，则判断出有光干扰。

8.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括用于检测光干扰的侦测模块和光干扰判断模块；所述侦测模块包括一正反器和一二极管；所述二极管的受光面积大于所述集成电路中寄生二极管的受光面积；所述正反器的一输出端与所述二极管相连接；所述光干扰判断模块用于根据与所述二极管相连接的输出端在正反器重置后的状态，判断出光干扰侦测结果。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NOR门和第二逻辑NOR门；所述第一逻辑NOR门与所述第二逻辑NOR门交叉耦接；所述第一逻辑NOR门的输出端与所述二极管的阳极相连接，或者，所述第二逻辑NOR门的输出端与所述二极管的阴极相连接。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NOR门和第一逻辑NOT门；所述第一逻辑NOR门和所述第一逻辑NOT门交叉耦接；所述第一逻辑NOR门的输出端与所述二极管的阳极相连接，或者，所述第一逻辑NOT门的输出端与所述二极管的阴极相连接。

11.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述正反器包括第一逻辑NAND门和第二逻辑NAND门，所述第一逻辑NAND门和第二逻辑NAND门交叉耦接；所述第一逻辑NAND门的输出端与所述二极管的阴极相连接，或者，所述第二逻辑NAND门的输出端与所述二极管的阳极相连接。