[发明专利]一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811442619.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109518026A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张俊雄;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅泡沫陶瓷 铝碳化硅复合材料 界面层 铝合金 碳化硅 抗冲击性能 碳化硅粉粒 断裂韧性 界面结合 原位生长 增韧补强 制备工艺 孔隙率 包覆 填充 制备 | ||
1.一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料，由碳化硅泡沫陶瓷，SiC纳米线、BN界面层、碳化硅和铝合金组成，其特征在于SiC纳米线原位生长在碳化硅泡沫陶瓷中，BN界面层包覆在SiC纳米线和碳化硅泡沫陶瓷表面，碳化硅和铝合金填充在碳化硅泡沫陶瓷内部和表层；碳化硅泡沫陶瓷密度为0.3~0.6g/cm3，孔隙率为70~90%，孔密度为15~35PPI；SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；BN界面层厚度为0.05~0.3μm；所述的碳化硅呈颗粒状，粒径为0.5~1μm，纯度为97~99%。
2.一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：
（1）将碳化硅泡沫陶瓷用无水乙醇超声清洗，清洗后放到烘箱中烘干；
（2）将聚碳硅烷、二茂铁、活性炭混合球磨制得均匀的粉末先驱体，然后将粉末先驱体放入石墨坩埚中；
（3）将烘干好的碳化硅泡沫陶瓷放在石墨坩埚上面，再将石墨坩埚放入到高温烧结炉中，升温至1300~1500℃，保温并通入流动性Ar，制得原位生长SiC纳米线的碳化硅泡沫陶瓷；
（4）将原位生长SiC纳米线的碳化硅泡沫陶瓷放到化学气相沉积炉中沉积BN界面层；
（5）将铝合金颗粒和碳化硅颗粒混合均匀，将制备好BN界面的碳化硅泡沫陶瓷包埋在混合均匀的铝合金/碳化硅颗粒中，抽真空至0.01~10Pa，再升温至700~1000℃，保温1~5h，得到SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料。
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