[发明专利]用于降低ECC存储器的软错误率的方法和装置在审
| 申请号： | 201811442640.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109669803A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张战刚;雷志锋;彭超;何玉娟;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 冯右明 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 软错误率 存储器 外围电路 预设目标 方法和装置 函数关系 程度定量 实际工程 优化设计 保证 | ||
1.一种用于降低ECC存储器的软错误率的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取ECC存储器的软错误率的函数关系，所述ECC存储器的软错误率为所述ECC存储器的存储区的软错误率与所述ECC存储器的外围电路的软错误率之和；
根据所述函数关系确定所述ECC存储器的软错误率的初始值；
判断所述ECC存储器的软错误率的初始值是否大于预设目标软错误率；
当所述ECC存储器的软错误率的初始值大于所述预设目标软错误率时，对所述ECC存储器的外围电路进行加固，以使得加固后的ECC存储器的软错误率小于或等于所述预设目标软错误率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取ECC存储器的软错误率的函数关系，包括：
获取通过数学推导得到的ECC存储器的软错误率的函数关系。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ECC存储器的外围电路包括EDAC电路模块。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述EDAC电路模块采用具有纠一检二功能的汉明码作为ECC码，获得的所述ECC存储器的软错误率的函数关系为：
或
其中，Rsystem为ECC存储器的软错误率，NEDAC为所述外围电路的等效敏感存储位数量，Rbit为每个敏感存储位的软错误率，Tscrub是所述ECC存储器的刷新周期，Nw是所述ECC存储器的存储区的字数，Nb指单个字内的位数，Rraw为ECC存储器在关闭ECC功能时的存储区原始软错误率。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述每个敏感存储位的软错误率Rbit与所述ECC存储器在关闭ECC功能时的存储区原始软错误率Rraw相等。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述外围电路的等效敏感存储位数量NEDAC为：
或
其中，Rsystem为ECC存储器的软错误率，Rbit为每个敏感存储位的软错误率，Tscrub是所述ECC存储器的刷新周期，Nw是所述ECC存储器的存储区的字数，Nb指单个字内的位数。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述函数关系确定所述ECC存储器的软错误率的初始值，包括：
获取所述ECC存储器在关闭ECC功能时的存储区原始软错误率Rraw；
获取所述ECC存储器的外围电路的等效敏感存储位数量NEDAC和每个敏感存储位的软错误率Rbit；
获取所述ECC存储器的刷新周期Tscrub和所述ECC存储器的存储架构，所述存储架构包括ECC存储器的存储区的字数Nw和单个字内的位数Nb；
根据上述步骤获得的参数以及所述函数关系确定所述ECC存储器的软错误率的初始值。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述当所述ECC存储器的软错误率的初始值大于预设目标软错误率时，对所述ECC存储器的外围电路进行加固，包括：
当所述ECC存储器的软错误率的初始值大于预设目标软错误率时，采用三模冗余法对所述ECC存储器的外围电路进行加固。
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