[发明专利]柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置有效
申请号: | 201811442702.X | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109560110B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 毛祖攀;朱阳杰;魏博;陆海峰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 215300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种柔性显示面板,其特征在于,所述柔性显示面板包括显示区和位于所述显示区周边的弯折区,所述弯折区包括:
柔性衬底;
覆盖整个所述柔性衬底的调整层;
位于所述调整层上、且与所述弯折区内的走线对应的保护层,所述弯折区内的走线在所述柔性衬底上的正投影落入所述保护层在所述柔性衬底上的正投影内;所述弯折区被弯折时,弯折应力通过所述调整层与所述保护层之间的界面释放,以缓解所述弯折区被弯折时所述保护层所承受的应力;且所述保护层的厚度小于或等于所述调整层的厚度小于或等于
位于所述保护层上的所述走线;
位于所述走线上方、且覆盖所述柔性衬底上的功能膜层的平坦化层。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述保护层在所述柔性衬底上的正投影与所述弯折区内的走线在所述柔性衬底上的正投影重合。
3.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述走线与所述平坦化层之间还设置有钝化层,所述弯折区被弯折时,所述钝化层所承受的应力与所述保护层所承受的应力相等。
4.根据权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,所述钝化层为氧化硅钝化层、氮化硅钝化层、氮氧化硅钝化层或有机材料钝化层。
5.根据权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,所述钝化层覆盖所述弯折区内的走线和所述调整层。
6.根据权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,所述钝化层位于所述弯折区内的走线上,且与所述弯折区内的走线对应,所述钝化层在所述柔性衬底上的正投影与所述弯折区内的走线在所述柔性衬底上的正投影重合。
7.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述调整层为a-Si层。
8.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述保护层为氧化硅保护层。
9.一种柔性显示装置,其特征在于,所述柔性显示装置包括如权利要求1-8任一所述的柔性显示面板。
10.一种柔性显示面板的制造方法,其特征在于,所述柔性显示面板的制造方法包括:
形成柔性衬底;
在所述柔性衬底上形成调整层,所述调整层覆盖整个所述柔性衬底;且所述调整层的厚度小于或等于
形成与所述柔性显示面板中弯折区的走线对应的保护层,所述弯折区内的走线在所述柔性衬底上的正投影落入所述保护层在所述柔性衬底上的正投影内;且所述保护层的厚度小于或等于
形成所述走线,所述走线位于所述保护层上方;
形成平坦化层,所述平坦化层位于所述弯折区的走线上方、且覆盖所述柔性衬底上的功能膜层。
11.根据权利要求10所述的柔性显示面板的制造方法,其特征在于,所述柔性显示面板的制造方法还包括:
形成钝化层,所述钝化层位于所述走线与所述平坦化层之间。
12.根据权利要求11所述的柔性显示面板的制造方法,其特征在于,形成所述保护层、所述走线和所述钝化层,包括:
形成保护膜;
对所述保护膜进行刻蚀,形成与所述弯折区内的走线对应的所述保护层,所述弯折区内的走线在所述柔性衬底上的正投影与所述保护层在所述柔性衬底上的正投影重合;
在所述保护层上形成所述走线;
形成所述钝化层,所述钝化层覆盖所述弯折区内的走线和所述调整层。
13.根据权利要求11所述的柔性显示面板的制造方法,其特征在于,形成所述保护层、所述走线和所述钝化层,包括:
形成保护膜;
在所述保护膜上形成所述走线;
形成钝化膜,所述钝化膜覆盖所述弯折区内的走线和所述保护膜;
对所述钝化膜和所述保护膜进行刻蚀,形成与所述弯折区内的走线对应的保护层,以及与所述弯折区内的走线对应的钝化层,所述弯折区内的走线和所述保护层以及所述钝化层三者在所述柔性衬底上的正投影重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的