[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811443037.6 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN111244302B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 梁柱荣;曹蔚然;钱磊 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 方良
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层,其特征在于,所述电子传输层靠近所述量子点发光层的表面设置有离子液体材料层;所述离子液体材料层中包括一种或多种离子液体材料,所述离子液体材料为有机阳离子和无机阴离子组成的盐;其中,

所述有机阳离子选自烷基季磷离子,所述烷基季磷离子选自十四烷基三丁基磷阳离子、乙基三丁基磷阳离子和四丁基磷阳离子中的至少一种,所述无机阴离子选自卤素离子和无机酸阴离子中的一种,所述有机阳离子为非对称阳离子,所述有机阳离子和所述无机阴离子之间形成有氢键;所述离子液体材料层的厚度为5-80nm。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层、所述离子液体材料层与所述量子点发光层层叠形成。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述卤素离子选自F-、Cl-、Br-和I-中的一种;或者,

所述无机酸阴离子选自BF4-、PF6-、CF3SO3-、CF3COO-、(CF3SO2)3C-、(C2F5SO2)3C-、(CF3SO2)2N-、NO2-、NO3-、ClO4-和C8H17SO4-中的一种。

4.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层的材料选自过渡金属氧化物和过渡金属硫系化合物中的一种或多种纳米颗粒。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供基底;

在所述基底上制备离子液体材料层。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述基底上制备离子液体材料层的步骤包括:直接将一种或多种离子液体材料沉积在所述基底上,进行退火处理;或者,

配制含有一种或多种离子液体材料的溶液,将所述溶液沉积在所述基底上后,进行退火处理。

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