[发明专利]控制倍缩遮蔽叶片的定位方法

说明书

一种控制倍缩遮蔽叶片的定位方法，用以最小化临界尺寸均匀度的冲击，其包括判断倍缩遮蔽叶片相对于反射倍缩光掩模的目标点位，以及将倍缩遮蔽叶片定位于目标点位。在成像操作时监控倍缩遮蔽叶片的位置。比较倍缩遮蔽叶片的位置和目标点位，且如果倍缩遮蔽叶片的位置在目标点位的公差外，调整倍缩遮蔽叶片的位置。

技术领域

本公开涉及一种定位方法，特别涉及一种控制倍缩遮蔽叶片的定位方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历指数性成长，集成电路材料以及设计的技术的进步已产生了数个世代的集成电路，每一世代的集成电路都具有比上一世代更小以及更复杂的电路。在集成电路演变过程中，功能密度(亦即单位晶片面积的互联装置的数量)通常随着几何尺寸(亦即使用制造工艺可以产生的最小元件(或线))下降而增加。这种尺寸微缩化的工艺通常由提高生产效率以及降低相关成本提供益处。这样的尺寸微缩化以满足半导体工艺技术(如光刻)的进展。

例如，用于光刻的辐射波长已从紫外光减小至深紫外光(DUV)，且最近更减小至极紫外光(EUV)。更进一步减小元件尺寸，需要更进一步增进光刻解析度，而使用极紫外光光刻(EUVL)可达成增进光刻解析度。极紫外光光刻使用波长约1-100纳米的辐射。光刻解析度会因绕射影响而不佳。

光学邻近校正(OPC)是一种光刻增强技术，用来补偿因绕射或工艺影响的成像错误。光学邻近校正的需求是因为光的限制，光学邻近校正使原设计的边缘布局，在工艺后至硅晶圆上蚀刻成像维持完整。这些投射成像出现缺陷，如线宽比原设计来得窄或宽，可以经由改变用于成像的光掩模图案来接受补偿。其他的失真，像是因光学影像机台解析度而造成的圆角则难以弥补。这些失真如果不校正，可能会改变产品的电性。光学邻近校正经由移动边缘或添加额外的多边形至光掩模上的图案来校正这些错误。光学邻近校正可利用依据特征间的宽度及空间为基础的估算查阅表(pre-computed look-up tables)(称为基于规则的光学邻近校正)，或利用紧密模型(compact models)动态模拟出最后的图案，从而驱动边缘的移动，典型是进入区域(section)以找出最佳解(称为基于模型的光学邻近校正)。

随着半导体产业进展至纳米技术工艺节点，要追求更高的装置密度、更高的效能且较低的成本，缩减半导体元件特征尺寸是一直以来的挑战。

发明内容

根据本公开的一些实施例，提供一种控制倍缩遮蔽叶片的定位方法，用以最小化临界尺寸均匀度的冲击，此方法包括：判断倍缩遮蔽叶片相对于反射倍缩光掩模的目标点位；将倍缩遮蔽叶片定位于目标点位；在成像操作时监控倍缩遮蔽叶片的位置；比较倍缩遮蔽叶片的位置和目标点位，如果倍缩遮蔽叶片的位置在目标点位的公差外，调整倍缩遮蔽叶片的位置。

根据本公开的一些实施例，提供一种控制极紫外光光刻机台的曝光区域的装置。此装置包括极紫外光辐射光源、移动载台、一个或多个倍缩遮蔽叶片、一个或多个制动器、以及位置感测器。移动载台配置以承载涂布光刻胶的基板。一个或多个倍缩遮蔽叶片配置于极紫外光辐射光源及反射倍缩光掩模载台之间。一个或多个制动器耦接至一个或多个倍缩遮蔽叶片，配置以移动倍缩遮蔽叶片。位置感测器配置以判断一个或多个倍缩遮蔽叶片的位置。

根据本公开的一些实施例，提供一种极紫外光光刻机台。此机台包括极紫外光辐射光源、移动载台、一个或多个倍缩遮蔽叶片、位置感测器、一个或多个制动器、以及控制器。移动载台配置以承载涂布光刻胶的基板。一个或多个倍缩遮蔽叶片位于极紫外光辐射光源及反射倍缩光掩模载台之间。位置感测器配置以在选择性光刻胶曝光操作时，监控一个或多个倍缩遮蔽叶片的位置。一个或多个制动器配置以如果一个或多个倍缩遮蔽叶片的位置在公差外时，调整一个或多个倍缩遮蔽叶片的位置。控制器配置以判断一个或多个倍缩遮蔽叶片是否位于公差内，且配置以控制制动器。

附图说明