[发明专利]用于确定ECC存储器的刷新频率的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201811444479.2 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN109656746A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 张战刚;雷志锋;彭超;何玉娟;黄云;恩云飞 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 冯右明
地址: 510610 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储器 刷新频率 函数关系 软错误率 方法和装置 计算机可读存储介质 错误能力 实际工程 系统资源 优化设计 占用 申请 应用 保证
【权利要求书】:

1.一种用于确定ECC存储器的刷新频率的方法,其特征在于,所述方法包括:

获取ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系;

根据所述函数关系确定所述ECC存储器的刷新频率。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系,包括:

获取通过数学推导得到的ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述函数关系确定所述ECC存储器的刷新频率,包括:

根据所述函数关系、预设的目标软错误率以及系统参数确定所述ECC存储器的刷新频率,所述预设的目标软错误率是预设的期望实现的所述ECC存储器在开启ECC功能时的存储区实际软错误率,所述系统参数包括应用所述ECC存储器的系统的资源消耗和功耗。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,ECC为具有纠一检二功能的汉明码,获得的所述ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系为:

其中,Rsystem为ECC存储器在开启ECC功能时的存储区实际软错误率,fscrub是ECC存储器的刷新频率,Nw是ECC存储器的存储区的字数,Nb指单个字内的位数,Rraw为ECC存储器在关闭ECC功能时的存储区原始软错误率。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,ECC为具有纠一检二功能的汉明码,获得的所述ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系为:

其中,Rsystem为ECC存储器在开启ECC功能时的存储区实际软错误率,fscrub是ECC存储器的刷新频率,Nw是ECC存储器的存储区的字数,Nb指单个字内的位数,Rraw为ECC存储器在关闭ECC功能时的存储区原始软错误率。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述函数关系确定所述ECC存储器的刷新频率,包括:

获取所述预设的目标软错误率;以及

根据所述函数关系和所述预设的目标软错误率确定所述ECC存储器的刷新频率,所述ECC存储器的刷新频率fscrub与所述预设的目标软错误率反相关。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述函数关系确定所述ECC存储器的刷新频率,包括:

获取所述ECC存储器的存储区原始软错误率Rraw,所述存储区原始软错误率Rraw为ECC存储器在关闭ECC功能时的存储区原始软错误率;以及

根据所述函数关系和所述ECC存储器的存储区原始软错误率Rraw确定所述刷新频率,所述刷新频率fscrub与所述ECC存储器的存储区原始软错误率Rraw正相关。

8.根据权利要求权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述函数关系确定所述ECC存储器的刷新频率,包括:

获取所述ECC存储器的存储区的字数Nw以及单个字内的位数Nb;以及

根据所述函数关系和所述ECC存储器的存储区的字数Nw以及单个字内的位数Nb确定所述刷新频率fscrub,所述刷新频率fscrub与所述ECC存储器的存储区的字数Nw以及单个字内的位数Nb正相关。

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