[发明专利]发光器件、显示装置及显示装置的制造方法和发电装置在审
申请号: | 201811444540.3 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111244303A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 曹蔚然;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示装置 制造 方法 发电 装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括光源、衬底、核心功能单元,所述衬底设置在所述光源和核心功能单元之间,所述核心功能单元包括阳极、核心功能层、阴极,所述核心功能层设置在所述阳极和阴极之间,所述核心功能层的材料由纳米颗粒和半导体材料混合而成。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述纳米颗粒为量子点或者纳米棒或者纳米片;
所述半导体材料为无机半导体材料、有机半导体材料、有机-无机杂化钙钛矿型半导体材料中的至少一种。
3.如权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述纳米颗粒的材料为II-VI族纳米晶、II-V族纳米晶、III-VI族纳米晶、III-V族纳米晶、IV-VI族纳米晶、I-III-VI组纳米晶、II-IV-VI族纳米晶、IV族纳米晶中的至少一种。
4.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括第一传输层,所述第一传输层设置于所述阳极和核心功能层之间。
5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一传输层与所述阳极之间还包括第一辅助功能层。
6.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述衬底为透明衬底;所述阴极和阳极均为透明电极。
7.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、NiOx、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2中的至少一种。
8.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述第一辅助功能层的材料选自聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)、MoOx、WOx、CrOx、CuO、CuS中的一种或多种。
9.一种显示装置,其特征在于,包括多个重复排列的像素单元;所述像素单元包括权利要求1-8任一项所述的发光器件,所述发光器件共用同一所述衬底,所述光源均位于所述衬底同一侧。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元;所述红色子像素单元为红色发光器件,所述绿色子像素单元为绿色发光器件,所述蓝色子像素单元为蓝色发光器件。
11.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,显示装置还包括设置于衬底上的像素界定层,所述像素界定层位于相邻的所述核心功能单元之间。
12.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底;
在所述衬底的一表面上形成像素界定层和第一电极,由所述像素界定层围合成若干像素槽,所述第一电极设于所述像素槽中;
在所述像素槽中的第一电极上形成核心功能层;
在所述核心功能层上形成第二电极;
在所述衬底背对所述核心功能层的一侧设置光源;
其中,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,或者所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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