[发明专利]显示面板和用于制造显示面板的方法

说明书

本申请公开了显示面板和用于制造显示面板的方法。显示面板包括基础层，基础层包括第一区域和第二区域。布置在基础层上的至少一个无机层与第一区域和第二区域重叠。至少一个无机层包括下部凹槽。至少一个无机层上布置有第一薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括硅半导体图案。至少一个无机层上布置有第二薄膜晶体管。第二薄膜晶体管包括氧化物半导体图案。多个绝缘层与第一区域和第二区域重叠。上部凹槽从下部凹槽延伸。信号线电连接到第二薄膜晶体管。下部凹槽和上部凹槽中布置有有机层。有机层上布置有发光元件。

技术领域

本发明示例性实施方式涉及显示面板，并且更具体地，涉及制造显示面板的方法。

背景技术

显示面板可包括多个像素和控制多个像素的驱动电路(例如，扫描驱动电路或数据驱动电路)。多个像素中的每个可包括显示元件以及像素的驱动电路，其中，像素的驱动电路可控制显示元件。像素的驱动电路可包括彼此相对紧密连接的多个薄膜晶体管。

显示面板已从扁平型发展为各种形状，诸如弯曲型、可卷曲型或可折叠型。随着显示面板的形状改变，面板设计也可改变。

发明内容

本发明示例性实施方式提供了具有速度和可靠性提升的像素的显示面板，并且该显示面板可具有提升的柔性。

本发明示例性实施方式提供了一种用于制造显示面板的方法，该方法使得在制造工艺中所使用的掩模的数量得到减少。

在本发明示例性实施方式中，显示面板包括基础层，其中基础层包括第一区域和从第一区域延伸的第二区域。第二区域从第一区域弯曲。至少一个无机层与第一区域和第二区域重叠。至少一个无机层布置在基础层上。至少一个无机层中限定有与第二区域重叠的下部凹槽。至少一个无机层上布置有第一薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括与第一区域重叠的硅半导体图案。第二薄膜晶体管可具有底栅结构。第二薄膜晶体管布置在至少一个无机层上。第二薄膜晶体管包括与第一区域重叠的氧化物半导体图案。多个绝缘层与第一区域和第二区域重叠。多个绝缘层中限定有从下部凹槽延伸的上部凹槽。信号线电连接到第二薄膜晶体管。有机层与第一区域和第二区域重叠。有机层布置在下部凹槽和上部凹槽中。有机层上布置有发光元件，并且发光元件与第一区域重叠。

在本发明示例性实施方式中，信号线的与第二区域重叠的部分可布置在有机层上。

在本发明示例性实施方式中，显示面板可包括连接电极，其中连接电极布置在有机层上并且通过形成在有机层中的接触孔连接到第一薄膜晶体管的输出电极。

在本发明示例性实施方式中，有机层上可布置有钝化层。

在本发明示例性实施方式中，发光元件的电极可通过形成在钝化层中的接触孔连接到连接电极。

在本发明示例性实施方式中，钝化层可布置在信号线上。钝化层的与第二区域重叠的部分可与信号线直接接触。

在本发明示例性实施方式中，第一绝缘层可基本上覆盖第一薄膜晶体管的硅半导体图案的上表面。第二绝缘层可布置在第一绝缘层上。第二绝缘层可基本上覆盖第一薄膜晶体管的控制电极的上表面和侧表面。第三绝缘层可布置在第二绝缘层上。第三绝缘层可基本上覆盖第二薄膜晶体管的控制电极的上表面和侧表面。第四绝缘层可布置在第三绝缘层上。第四绝缘层可基本上覆盖第二薄膜晶体管的输入电极的上表面和侧表面。第四绝缘层可基本上覆盖第二薄膜晶体管的输出电极的上表面和侧表面。第四绝缘层可基本上覆盖第二薄膜晶体管的氧化物半导体图案的上表面。

在本发明示例性实施方式中，氧化物半导体图案的第一部分和第二部分可分别布置在第二薄膜晶体管的输入电极和输出电极上。

在本发明示例性实施方式中，第二薄膜晶体管的输入电极和输出电极可分别布置在氧化物半导体图案的第一部分和第二部分上方。氧化物半导体图案的第三部分可从第二薄膜晶体管的输入电极和输出电极暴露。