[发明专利]一种半导体封装体以及制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装体，其特征在于，包括：

重布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面；

多个第一连接件，连接于所述重布线层的第一面；

多颗芯片，均设置在所述第一连接件背离所述重布线层的一侧并且均连接于所述第一连接件；

多个中介件，均连接在所述重布线层的第二面，相邻两个所述中介件之间形成凹槽，所述凹槽靠近所述重布线层的一侧面与所述重布线层的第二面直接接触；以及

多个第二连接件，连接于所述中介件背离所述重布线层的一侧，

其中，所述芯片通过所述第一连接件、所述重布线层、所述中介件电连接到所述第二连接件。

2.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述重布线层包括覆盖所述凹槽的蚀刻停止图层。

3.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述芯片和所述中介件均为方形板，

所述芯片包括第一边以及与所述第一边相邻的第二边，所述中介件包括与所述第一边平行的第三边以及与所述第三边相邻且与所述第二边平行的第四边，

所述多个中介件的第三边的边长总和大于所述第一边的边长的2倍，所述多个中介件的第四边的边长总和大于所述第二边的边长的2倍。

4.如权利要求3所述的半导体封装体，其特征在于，所述第三边的边长小于或等于所述第一边的边长的1.2倍，所述第四边的边长小于或等于所述第二边的边长的1.2倍。

5.如权利要求4所述的半导体封装体，其特征在于，所述第三边的边长的取值范围为所述第一边边长的0.2～0.8倍，所述第四边的边长的取值范围为所述第二边边长的0.2～0.8倍。

6.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，多个所述中介件呈矩阵状排布在所述重布线层的第二面上。

7.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，相邻两颗所述芯片相互分开以在相邻两颗所述芯片之间形成缝隙，所述缝隙与位于所述重布线层另一侧的一条所述凹槽相对齐。

8.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，所述半导体封装体还包括第一模塑件，所述第一模塑件用于将所述重布线层、所述第一连接件和所述芯片封装在一起；

所述第一模塑件包括填充在所述芯片与所述重布线层之间的第一模塑层，所述第一模塑层上设置有多个用于容纳所述第一连接件的第一通孔；

所述第一模塑件还包括从所述第一模塑层向芯片方向延伸并填充满相邻所述芯片之间的缝隙的第二模塑层。

9.如权利要求8所述的半导体封装体，其特征在于，所述芯片背离所述第一连接件的一面从所述第一模塑件露出。

10.如权利要求8所述的半导体封装体，其特征在于，所述半导体封装体还包括第二模塑件；

所述第二模塑件包括覆盖在所述多个中介件背离所述重布线层一面上且遮盖所述凹槽的第三模塑层，所述第三模塑层上设置有多个用于通过所述第二连接件的第二通孔；

所述第二模塑件还包括连接所述第三模塑层且填充满所述凹槽的填充部。

11.如权利要求1所述的半导体封装体，其特征在于，至少两颗所述芯片通过所述第一连接件和所述重布线层相互电连接。

12.如权利要求1至11中任一项所述的半导体封装体，其特征在于，所述中介件中设置有一端连接所述重布线层、另一端连接所述第二连接件的穿硅通道。