[发明专利]微元件的转移装置及其转移方法在审
申请号: | 201811446275.2 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111244008A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 孙建明;郭恩卿 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 转移 装置 及其 方法 | ||
本申请公开了一种微元件的转移装置及其转移方法,该转移装置包括:导引板,导引板上设置有阵列排布的通孔;第一电极板,位于放置有微元件的衬底基板上远离微元件的一侧;第二电极板,位于吸收微元件的吸收基板上远离微元件的一侧;在进行微元件转移时,第一电极板释放微元件,第二电极板吸附微元件,使微元件通过导引板的通孔从衬底基板转移到吸收基板上。通过使用本申请的转移装置,可实现微元件的巨量转移,且定位精确。
技术领域
本申请涉及微元件处理技术领域,特别是涉及一种微元件的转移装置及其转移方法。
背景技术
微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前,微间距发光二极管(Micro LED)技术逐渐成为研究热门,工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。
在制造微元件的过程中,首先在施体基板上形成微元件,接着将微元件转移到接收基板上。接收基板例如是驱动基板。在制造微元件过程中的一个困难在于:如何将微元件从施体基板上转移到接收基板上。
传统转移微元件的方法为借由基板接合(Wafer Bonding)将微元件自转移基板转移至接收基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移,也就是直接将微元件阵列自转移基板接合至接收基板,之后再将转移基板移除。另一种实施方法为间接转移。此方法包含两次接合/剥离的步骤,首先,转移基板自施体基板提取微元件阵列,接着转移基板再将微元件阵列接合至接收基板,最后再把转移基板移除。其中,提取微元件阵列一般通过静电拾取的方式来执行,但静电拾取并不可靠。
发明内容
为解决上述技术问题之一,本申请提供了一种微元件的转移装置及其转移方法,能够可靠地实现微元件的批量转移。
为解决上述技术问题,本申请采用的一技术方案是:提供一种微元件的转移装置,该转移装置包括:导引板,导引板上设置有阵列排布的通孔,导引板的第一表面与吸收基板上吸附有微元件的一面相对设置,其中微元件中设置有金属电极;第一电极板,位于放置有微元件的衬底基板上远离所述微元件的一侧,用于产生/消去磁力,以吸附/释放微元件;第二电极板,且位于吸收微元件的吸收基板上远离所述微元件的一侧,用于吸附微元件;其中,在进行微元件转移时,第一电极板释放微元件,第二电极板吸附微元件,使微元件通过导引板的通孔从衬底基板转移到到吸收基板上。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一技术方案是:提供一种微元件的转移方法,该转移方法包括:将导引板的第一表面与吸收基板上吸附有微元件的一面相对设置;将第一电极板置于衬底基板上远离微元件的一侧,用于吸附无需转移的微元件,释放需要转移的微元件;将第二电极板置于吸收基板远离微元件的一侧,第二电极板产生吸力吸附微元件,使微元件通过导引板的通孔从衬底基板转移到吸收基板上。
本申请的有益效果是:本申请提供的微元件的转移装置,通过将第一电极板放置在衬底基板上远离微元件的一侧,吸收/释放微元件,第二电极板放置于吸收基板上远离微元件的一侧,吸附微元件,能够可靠地实现微元件的批量转移。且在微元件转移的过程中,利用导引板进行辅助定位,可限定微元件的运动路径,从而实现微元件的精确定位。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本申请微元件的转移装置第一实施例结构示意图;
图2a是本申请微元件的转移装置中导引板一实施例的俯视示意图;
图2b是本申请微元件的转移装置中导引板一实施例的仰视示意图;
图2c是本申请微元件的转移装置中导引板一实施例的纵剖面结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造