[发明专利]存储器控制器、其读取控制方法及其编程控制方法在审
申请号: | 201811446549.8 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN110033808A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 李庚德;沈荣燮 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 选择存储器 存储器控制器 读取控制 页面 读取 存储器页面 存储器装置 编程控制 偏移电平 暂停操作 关联 控制存储器 读取操作 读取电压 选择字线 页面连接 字线 | ||
1.一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法,所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面,其特征在于,所述读取控制方法包括:
对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别,所述所选择存储器页面连接到所述多条字线中的所选择字线;
根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果,基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平;以及
基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。
2.根据权利要求1所述的读取控制方法,其特征在于,所述对已经历暂停操作的所述所选择存储器页面进行识别包括:
基于与所述所选择存储器页面对应的暂停标志信息来识别已经历暂停操作的所述所选择存储器页面。
3.根据权利要求1所述的读取控制方法,其特征在于,所述暂停操作信息包括恢复时间,所述恢复时间指示在所述暂停操作期间编程暂停区段的时间间隔。
4.根据权利要求3所述的读取控制方法,其特征在于,所述控制所述读取操作包括:
响应于所述所选择存储器页面的所述恢复时间是阈值时间或长于所述阈值时间,控制所述存储器装置实行读取回收操作。
5.根据权利要求1所述的读取控制方法,其特征在于,所述确定所述读取偏移电平包括基于偏移电平信息来确定所述所选择存储器页面的所述读取偏移电平、及/或对与所述所选择存储器页面对应的所述暂停操作信息进行匹配,所述偏移电平信息包括与所述暂停操作信息对应的所述读取偏移电平的匹配信息。
6.根据权利要求5所述的读取控制方法,其特征在于,
其中所述所选择存储器页面的所述暂停操作信息包括进入区段信息,所述进入区段信息指示在所述所选择存储器页面的递增步长脉冲编程操作中所述暂停操作的进入时间点,且
其中所述偏移电平信息包括与所述进入区段信息对应的读取偏移电平的匹配信息。
7.根据权利要求5所述的读取控制方法,其特征在于,所述所选择存储器页面的所述暂停操作信息包括:
进入区段信息,指示在所述所选择存储器页面的递增步长脉冲编程操作中所述暂停操作的进入时间点,以及
恢复时间,指示所述暂停操作的递增步长脉冲编程操作暂停区段的时间间隔,且
所述偏移电平信息包括与所述恢复时间对应的读取偏移电平对于所述进入区段信息的匹配信息。
8.根据权利要求5所述的读取控制方法,其特征在于,
其中所述所选择存储器页面的所述暂停操作信息包括所述所选择存储器页面的暂停操作的数目,且
其中所述偏移电平信息包括与暂停操作的所述数目对应的读取偏移电平的匹配信息。
9.根据权利要求5所述的读取控制方法,其特征在于,
其中所述所选择存储器页面的所述暂停操作信息包括累积恢复时间,所述累积恢复时间指示所述暂停操作的编程暂停区段的累积时间,且
其中所述偏移电平信息包括与所述累积恢复时间对应的读取偏移电平的匹配信息。
10.根据权利要求5所述的读取控制方法,其特征在于,
其中所述所选择存储器页面的所述暂停操作信息包括在实行所述暂停操作时所述存储器装置的温度,且
其中所述偏移电平信息包括与所述存储器装置的所述温度对应的读取偏移电平的匹配信息。
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