[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
申请号: | 201811446725.8 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111244128A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 胡锐钦 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
形成在所述衬底基板上的多个像素电路,所述像素电路包括多个薄膜晶体管;
各所述薄膜晶体管均包括有源层;
至少两个所述薄膜晶体管的所述有源层位于不同膜层中。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层;
所述有源层包括第一类有源层和第二类有源层;所述第一类有源层位于所述第一半导体层中,所述第二类有源层位于所述第二半导体层中;
所述第一类有源层对应的所述薄膜晶体管为第一类薄膜晶体管,所述第二类有源层对应的所述薄膜晶体管为第二类薄膜晶体管;
同一所述像素电路中各所述薄膜晶体管均为所述第一类薄膜晶体管或所述第二类薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括形成在所述像素电路上的多个发光单元;所述发光单元与所述像素电路一一对应连接;
多个所述发光单元排列形成M行N列的阵列结构,M和N均为正整数;
沿所述阵列结构的行方向,第奇数行中,第奇数个所述发光单元对应的所述像素单元中各所述薄膜晶体管均为第一类薄膜晶体管,第偶数个所述发光单元对应的所述像素单元中各所述薄膜晶体管均为第二类薄膜晶体管;
沿所述阵列结构的行方向,第偶数行中,第奇数个所述发光单元对应的所述像素单元中各所述薄膜晶体管均为第二类薄膜晶体管,第偶数个所述发光单元对应的所述像素单元中各所述薄膜晶体管均为第一类薄膜晶体管。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括形成在所述像素电路上的多个发光单元;所述发光单元与所述像素电路一一对应连接;
多个所述发光单元排列形成M行N列的阵列结构,M和N均为正整数;
沿所述阵列结构的行方向,任意行中,第奇数个所述发光单元对应的所述像素单元中各所述薄膜晶体管均为第一类薄膜晶体管,第偶数个所述发光单元对应的所述像素单元中各所述薄膜晶体管均为第二类薄膜晶体管。
5.根据权利要求3或4所述的显示面板,其特征在于,所有所述第一类有源层在所述衬底基板上的垂直投影为第一投影;
所有所述第二类有源层在所述衬底基板上的垂直投影为第二投影;
所述第一投影与所述第二投影不重合;
所述显示面板包括位于所述第一半导体层和第二半导体层之间的第一金属层;
所述第一类薄膜晶体管还包括第一栅电极,所述第二类薄膜晶体管还包括第二栅电极;
各所述第一栅电极和各所述第二栅电极均位于所述第一金属层中,且所述第一栅电极和所述第二栅电极之间电绝缘。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,
所有所述第一类有源层在所述衬底基板上的垂直投影为第一投影;
所有所述第二类有源层在所述衬底基板上的垂直投影为第二投影;
所述第一投影与所述第二投影至少部分重合。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括多条扫描线;
同一行中,各所述发光单元对应的所述像素单元与同一条扫描线电连接;
所述显示面板包括位于所述第一半导体层和第二半导体层之间的第一金属层;
所述第一类薄膜晶体管还包括第一栅电极,所述第二类薄膜晶体管还包括第二栅电极;
所述第一栅电极位于所述第一金属层中,且同一行中,所述第一类薄膜晶体管的所述第一栅电极同时用作与之相邻的所述第二类薄膜晶体管的所述第二栅电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的