[发明专利]利用PN结自供电的半导体光电催化器件有效
| 申请号： | 201811446777.5 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109675542B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 母一宁;曹喆;杨继凯;肖楠;王帅;刘春阳 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学;长春市洁环光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B01J21/08 | 分类号： | B01J21/08;B01J35/02;B82Y40/00;C02F1/30;C02F1/46 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 pn 供电 半导体 光电 催化 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于净化水体的利用PN结自供电的半导体光电催化器件，其特征在于，在P-N+硅片的P-区分布若干栅条（1），自P-区至N+区掺杂浓度由稀变浓，栅条（1）以下的P-区厚度为50~120μm；栅条（1）的顶面和侧面覆盖有半导体纳米线光电催化层（2）；
所述半导体纳米线为TiO2、ZnO、WO3、CdS或者ZnS纳米线；所述半导体纳米线光电催化层（2）的厚度为1~2μm；
栅条（1）之间的P-区表面有一层SiO2膜层（3）。
2.根据权利要求1所述的利用PN结自供电的半导体光电催化器件，其特征在于，N+区厚度为130~250μm，栅条（1）的高为300~350μm，宽为110~120μm，栅条（1）间距为180~190μm。
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