[发明专利]电阻式随机存取存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器架构，包括：

多个单元阵列，每个单元阵列均包括多个位单元，其中，所述多个单元阵列中的每个位单元均使用相应的可变电阻介电层以在第一逻辑状态和第二逻辑状态之间转换；

控制逻辑电路，连接至所述多个单元阵列，并且被配置为使第一信息位作为所述第一信息位的原始逻辑状态和所述第一信息位的逻辑互补逻辑状态写入一对单元阵列的相应位单元；以及

输入/输出(I/O)电路，连接至所述多个单元阵列的位单元并且位于所述一对单元阵列之间，其中，所述相应的可变电阻介电层通过使用相同的沉积设备方案形成并且具有不同的直径。

2.根据权利要求1所述的存储器架构，其中，所述相应的可变电阻介电层共享基本相同的厚度和/或晶体结构。

3.根据权利要求1所述的存储器架构，其中，所述控制逻辑电路进一步被配置为使第二信息位作为所述第二信息位的原始逻辑状态写入与所述一对单元阵列不同的单个单元阵列的至少一个位单元。

4.根据权利要求3所述的存储器架构，其中，所述输入/输出(I/O)电路还包括：

感测电路，连接至所述多个单元阵列的位单元，并且被配置为通过比较传导通过所述一对单元阵列的相应位单元的相应电流信号来确定由所述一对单元阵列的相应位单元所呈现的所述第一信息位的原始逻辑状态。

5.根据权利要求4所述的存储器架构，其中，所述一对单元阵列设置在所述感测电 路的相应相对侧处。

6.根据权利要求4所述的存储器架构，其中，所述感测电路进一步被配置为通过比较传导通过所述单个单元阵列的至少一个位单元的电流信号与参考电流信号来确定由所述单个单元阵列的至少一个位单元所呈现的所述第二信息位的原始逻辑状态。

7.根据权利要求1所述的存储器架构，其中，所述多个单元阵列的位单元的每个均包括电阻式随机存取存储器(RRAM)位单元。

8.根据权利要求1所述的存储器架构，其中：

所述多个单元阵列形成为设置在单个芯片上的存储器宏。

9.一种存储器架构，包括：

第一单元阵列，包括第一多个位单元；

第二单元阵列，包括第二多个位单元；

第三单元阵列，包括第三多个位单元；

控制逻辑电路，连接至所述第一单元阵列、所述第二单元阵列和所述第三单元阵列，并且被配置为使第一信息位作为所述第一信息位的原始逻辑状态和所述第一信息位的逻辑互补逻辑状态写入所述第一单元阵列和所述第二单元阵列的相应位单元，以及将第二信息位作为所述第二信息位的原始逻辑状态写入所述第三单元阵列的位单元，从而使得所述第一单元阵列和所述第二单元阵列的相应位单元具有第一耐久性并且所述第三单元阵列的位单元具有第二耐久性；以及

输入/输出(I/O)电路，连接至所述第一单元阵列、所述第二单元阵列和所述第三单元阵列，其中，所述输入/输出电路位于所述第一单元阵列和所述第二单元阵列之间，

其中，所述第一耐久性包括所述第一单元阵列和所述第二单元阵列的相应位单元可以在相应的不同电阻状态之间转换的最大循环数，并且所述第二耐久性包括所述第三单元阵列的位单元可以在相应的不同电阻状态之间转换的最大循环数。

10.根据权利要求9所述的存储器架构，其中，所述第一耐久性基本高于所述第二耐久性。

11.根据权利要求9所述的存储器架构，其中，所述第一多个位单元、所述第二多个位单元和所述第三多个位单元具有基本相同的可变电阻介电层。

12.根据权利要求11所述的存储器架构，其中，所述可变电阻介电层包括通过使用相同的沉积设备方案形成的厚度和晶体结构。