[发明专利]半导体装置和设备

说明书

本公开涉及半导体装置和设备。半导体层包含开口，并且，在结构之间的接合表面中，在半导体层被层叠在一起的方向上的半导体层与开口之间的部分包含多个导体部分、和在与所述方向正交的方向上位于该多个导体部分之间的绝缘体部分。

技术领域

实施例的各方面涉及半导体装置，在该半导体装置中，多个半导体层被层叠在一起。

背景技术

已知如下的半导体装置，其中多个半导体层被层叠在一起，并且多个半导体层之间的多个结构被结合(bond)在一起。在日本专利申请公开No.2012-033878和日本专利申请公开No.2012-256736中，导体和绝缘体被设置在接合(joint)表面上。

日本专利申请公开No.2012-033878讨论了一种技术，在该技术中，包含电极和连接部分的电极部分被设置在如下构件中，在该构件中设置有布置有多个光电转换元件的像素部分。在电极部分中，在半导体基板中提供开口。

日本专利申请公开No.2012-256736的公开讨论了一种技术，在该技术中，布线层包含层间绝缘膜、嵌入层间绝缘膜中的电极和设置在电极周围的伪电极。

在半导体层包含开口的情况下，结构的接合强度在与开口重叠的位置处可能降低，并且半导体装置的可靠性可能降低。

发明内容

根据实施例的一个方面，一种半导体装置包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；以及设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，并且，其中在第一结构和第二结构之间的接合表面中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的在第一半导体层与开口之间的部分包含第一导体部分和第二导体部分、以及在与第一方向正交的第二方向上的位于第一导体部分与第二导体部分之间的绝缘体部分。

根据实施例的另一方面，一种半导体装置包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体和第二半导体层之间的第一结构；和设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，并且其中，在第一结构和第二结构中的一个中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的在第一半导体层与开口之间的部分包含第一导体部分和第二导体部分、以及在与第一方向正交的第二方向上的位于第一导体部分与第二导体部分之间的绝缘体部分，并且，绝缘体部分与被包含于第一结构和第二结构中的另一个中的绝缘体构件接触。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本公开的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1A和图1B是示出半导体装置的示图。

图2A～图2E是示出半导体装置的示图。

图3A～图3F是示出半导体装置的示图。

图4A和图4B是示出半导体装置的示图。

图5A～图5D是示出半导体装置的制造方法的示图。

图6A～图6D是示出半导体装置的制造方法的示图。

图7A和图7B是示出半导体装置的制造方法的示图。

具体实施方式

以下参照附图描述用于实施本公开的示例性实施例。在以下的描述和附图中，共用于多个附图的部件由共同的附图标记表示。因此，参照多个附图描述共用的部件，并且适当地省略由共同的附图标记表示的部件的描述。