[发明专利]弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种弹性波装置，具备：

支承基板；

声反射层，设置在所述支承基板上；

压电体层，设置在所述声反射层上；以及

IDT电极，设置在所述压电体层上，

在所述压电体层与所述声反射层之间未设置其它层，

所述声反射层具有三层以上的低声阻抗层和两层以上的高声阻抗层，

最靠近所述压电体层的所述低声阻抗层的膜厚比最靠近该低声阻抗层的所述低声阻抗层的膜厚厚。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

至少在三层所述低声阻抗层和两层所述高声阻抗层中，所述低声阻抗层和所述高声阻抗层交替地层叠。

3.一种弹性波装置，具备：

支承基板；

声反射层，设置在所述支承基板上；

压电体层，设置在所述声反射层上；以及

IDT电极，设置在所述压电体层上，

所述声反射层具有三层以上的低声阻抗层和两层以上的高声阻抗层，

最靠近所述压电体层的所述低声阻抗层的膜厚比最靠近该低声阻抗层的所述低声阻抗层的膜厚厚，

最靠近所述压电体层的所述低声阻抗层的膜厚为最靠近该低声阻抗层的所述低声阻抗层的膜厚的1.38倍以下。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，

最靠近所述压电体层的所述低声阻抗层的膜厚为在该低声阻抗层中传播的横波弹性波的波长的所述压电体层的厚度方向上的分量的0.7倍以上且0.8倍以下的范围。

5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其中，

除最靠近所述压电体层的所述低声阻抗层以外的各所述低声阻抗层的膜厚为在各所述低声阻抗层中传播的横波弹性波的波长的所述压电体层的厚度方向上的分量的0.2倍以上且0.3倍以下的范围，

所述高声阻抗层的膜厚为在所述高声阻抗层中传播的横波弹性波的波长的所述压电体层的厚度方向上的分量的0.2倍以上且0.3倍以下的范围。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，

利用S₀模式的板波。

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置是产生与利用的主模式不同的模式的杂散的弹性波装置，

在将所述杂散的谐振频率设为F_s，将所述主模式的谐振频率设为F_m，将所述杂散与所述主模式的谐振频率比设为F_s/F_m时，谐振频率比F_s/F_m在1.45以上且1.55以下的范围外。

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装置，其中，

各所述低声阻抗层由氧化硅构成。

9.一种高频前端电路，具备：

权利要求1～8中的任一项所述的弹性波装置；以及

功率放大器。

10.一种通信装置，具备：

权利要求9所述的高频前端电路：以及

RF信号处理电路。