[发明专利]一种利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法

权利要求书

1.一种利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

(1)以南瓜作为砧木，提前利用穴盘育苗，待南瓜幼苗出土后开始黄瓜接穗育苗，接穗可使用方盘进行育苗；砧木比接穗早播种3-5天；

(2)当南瓜砧木第一片真叶未完全展开,黄瓜接穗破土，黄瓜接穗下胚轴直立到子叶平展前时，进行嫁接；

(3)嫁接方法采用插接法，去除砧木的真叶和生长点，然后用竹签在苗茎的顶面紧贴一子叶并沿子叶连线方向向另一子叶下方斜插一孔，插孔长0.8-1cm，深度以竹签尖刚刚露出苗茎1-3mm；

(4)削好接穗从方盘拔取接穗苗，用拇指、中指捏住接穗两片子叶，并使接穗的茎搭在食指肚上，用刀片在接穗子叶下方0.5-1cm出向下斜削一刀，把苗茎削成单斜面形，斜面长0.8-1cm；

(5)接穗削好后，从砧木苗茎上拔下竹签，把接穗苗茎切面一侧朝下插入砧木苗茎的插孔内，接穗茎要插到插孔的底尽部，插实插牢；然后尽快把嫁接苗放入小拱棚内，浇水，盖严保湿保温；

(6)嫁接苗培育生长至2-3叶1心时即可进行定植，定植于正常土壤或有Cd(镉)污染的土壤，与不经嫁接的黄瓜实生苗的果实相比，本发明的嫁接技术所获得的黄瓜果实中Cd含量均显著降低。

2.根据权利要求1所述的利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述南瓜为甬砧7号南瓜类型砧木品种。

3.根据权利要求1所述的利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的南瓜的穴盘育苗，具体步骤如下：选取饱满一致的南瓜砧木种子，70℃热水烫种消毒15分钟，不断搅拌，浸种完毕，清洗种子，再放于室温下清水浸4-6小时，其间搓洗2次；浸种后用湿毛巾包裹种子保湿，置于培养箱内，保持在28-30℃催芽；其间要加水保湿；等种子露白后挑种并分批播种；播种前1天浇透底水，种子平放，胚根朝下，一穴一粒，盖1.5cm厚的盖籽泥，覆地膜；出苗前育苗床温度保持25-30℃，并保持湿度，减少带帽现象；顶土时及时揭除地膜，50％出苗后要降低苗床温度，防止下胚轴徒长；夜间覆盖小拱棚；出苗后白天温度20-25℃，夜间不低于15℃；砧木出土后要及时脱帽；嫁接前3-4天要浇透水，嫁接前1-2天，控水并适当通风，以提高砧木的适应性和下胚轴粗壮。

4.根据权利要求1所述的利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的黄瓜接穗育苗，具体步骤如下：黄瓜种子选取饱满一致的种子，先在55℃温水中浸15分钟，不断搅拌，再在室温下浸清水2-4小时，其间搓洗1次；然后将种子用湿毛巾包裹种子保湿，置于培养箱内，保持28-30℃催芽；其间用清水洗1-2次并加水保湿；至50％以上种子露白后及时播种；播种时种子要平放，胚根朝下，播距1cm见方，盖上1cm厚的盖籽泥，浇透水，覆地膜；出苗前育苗床温度保持25-30℃，出苗后要及时揭除地膜；出苗后白天温度在20-25℃，夜间不低于15℃，及时脱壳；嫁接前1天适当让其徒长。

5.根据权利要求4所述的利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的种子露白具体指胚根长1mm时。

6.根据权利要求1所述的利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：步骤(2)中进行嫁接时，黄瓜接穗的下胚轴生长至2cm-3cm。

7.根据权利要求1所述的利用嫁接技术降低黄瓜果实中Cd含量的方法，其特征在于：步骤(6)中所述的嫁接苗培育的方法，具体步骤如下：嫁接头三天，用小拱棚覆盖，保证湿度在90％以上；睛天时要用遮阳网遮阴，以免阳光直照苗床；为防止病害和产生高脚苗，第三天开始通风降湿和炼苗，头一天早晚打开小拱棚透气10分钟-15分钟，第四天后逐渐延长通风时间，但不能让风直接吹向苗床，以免脱水萎蔫；嫁接后5天淋施0.1％磷酸二氢钾加0.1％尿素的混合液；嫁接后的5-7天，应避免强光直射苗床，睛天要用遮阳网遮阴，否则嫁接口易失水干枯，难以愈合；如遇阴雨天气，则不要遮阳，充分利用自然光照提高棚内温度，促进愈合；嫁接后7天后会长出真叶，长时间打开覆盖膜不萎蔫，就可不盖膜，加大炼苗；嫁接后10天，要及时摘除砧木的侧芽，待嫁接苗生长至2-3叶1心时即可定植。