[发明专利]用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构有效
申请号: | 201811450759.4 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109546986B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 陈泽基;阚枭;袁泉;杨晋玲;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H03H9/05 | 分类号: | H03H9/05 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 能量 损耗 rf mems 谐振器 支撑 结构 | ||
1.一种用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构,包括:
支撑梁,其一端沿谐振器的边沿与谐振器连接,另一端与后端支撑结构连接;
后端支撑结构,设置于所述支撑梁和基座之间,用于减小所述支撑梁与基座间的连接刚度,增大固-气界面,反射向所述后端支撑结构两侧传输的弹性波;
至少两级能量阻断结构,设置在所述支撑梁和所述后端支撑结构的连接处、所述后端支撑结构和/或基座上,用于阻断弹性波在谐振器支撑结构中的扩散路径;
所述支撑梁中包含多个转折和/或弯曲形状,用于减小刚度和振幅,延长声学传输路径,增加固-气界面;
所述支撑梁包括:直梁、折叠梁、框架梁、弧形梁或其中至少两种结构的组合;
其中,所述谐振器和每个所述后端支撑结构之间包括至少一根所述支撑梁;
其中,设置在所述支撑梁和所述后端支撑结构的连接处的所述能量阻断结构为单个或阵列排布的多个孔洞结构,其孔洞的形状包括:三角形、梯形、弧形、矩形或其中至少两种形状的组合;
所述支撑梁和所述后端支撑结构的连接处的所述能量阻断结构的所述孔洞中的填充物为空气或声学阻抗与所述后端支撑结构不同的固体材料;
其中,所述后端支撑结构和/或所述基座上的二级和/或二级以上的所述能量阻断结构为单个或阵列排布的多个孔洞结构,其孔洞的形状包括:矩形、扇形、椭圆形或其中至少两种形状的组合;
所述后端支撑结构和/或所述基座上的二级和/或二级以上的所述能量阻断结构的所述孔洞中的填充物为空气或声学阻抗与所述后端支撑结构不同的固体材料。
2.根据权利要求1所述的用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构,所述支撑梁的形状包括:S形、圆环形、方框形、梳齿形或其中至少两种形状的组合。
3.根据权利要求1所述的用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构,所述支撑梁的形状为轴对称、中心对称或旋转对称。
4.根据权利要求1所述的用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构,其中:
所述后端支撑结构的形状包括:矩形梁、折叠梁、弧形梁或其中至少两种形状的组合;
所述后端支撑结构与所述支撑梁和/或所述基座的连接处设置有所述能量阻断结构。
5.根据权利要求1所述的用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构,其中:
所述谐振器工作在面内或面外振动模态下,包括:Lamé模态、酒杯状模态、回音壁模态、面外弯曲模态;
所述谐振器的形状包括:方形、圆形、环形;
所述谐振器的材料包括:硅基、金刚石、III-V族半导体、压电材料。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构,所述支撑梁、所述后端支撑结构和所述基座均包括4个。
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