[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811451431.4 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109300970B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 张国峰;胡天庆 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区、围绕所述显示区设置的非显示区、至少一个缺口;
所述显示区包括:多条数据线、异形边缘;所述数据线和所述异形边缘均沿列方向延伸;所述异形边缘朝向所述显示区内部凹陷形成所述缺口;所述非显示区包括第一非显示区,所述第一非显示区与所述缺口相邻设置;
还包括衬底基板;
阵列层,所述阵列层位于所述衬底基板一侧;所述阵列层至少包括一层无机层,所述无机层至少延伸至所述第一非显示区,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述无机层至少包括一个凸起部;
显示功能层,所述显示功能层位于所述阵列层远离所述衬底基板一侧,所述显示功能层包括发光器件和像素定义层;
所述非显示区至少包括一个阻挡部,所述阻挡部围绕所述显示区及所述显示功能层设置;
所述凸起部向所述衬底基板的垂直投影为第一投影,所述第一投影位于所述第一非显示区内,所述第一非显示区内的部分所述阻挡部向所述衬底基板的投影为第二投影,所述像素定义层向所述衬底基板的垂直投影为第三投影,所述第一投影位于所述第二投影和所述第三投影之间;
所述第一非显示区内的所述阵列层还包括位于所述无机层靠近所述衬底基板一侧的垫高部,所述垫高部向所述衬底基板的垂直投影与所述第一投影相交叠;所述垫高部包括多个位于不同膜层的垫高部,多个位于不同膜层的所述垫高部向所述衬底基板的投影相交叠,且位于不同膜层的所述垫高部通过过孔电连接;所述垫高部的材料为金属材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层包括栅极金属层、源/漏极金属层、电容金属层、遮光金属层,其中,所述垫高部分别与所述栅极金属层、所述源/漏极金属层、所述电容金属层、所述遮光金属层中的一种或多种同层同材料设置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述栅极金属层位于所述衬底基板一侧,所述电容金属层位于所述栅极金属层远离所述衬底基板一侧,所述源/漏极金属层位于所述电容金属层远离所述衬底基板一侧,所述遮光金属层位于所述衬底基板和所述栅极金属层之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机层位于所述栅极金属层和所述源/漏极金属层之间,所述垫高部与所述栅极金属层同层设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机层位于所述电容金属层和所述源/漏极金属层之间,所述垫高部与所述电容金属层同层设置。
6.根据权利要求4或5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述垫高部通过第一过孔与所述源/漏极金属层电连接。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机层包括第一无机层和第二无机层,所述第一无机层位于所述栅极金属层和所述电容金属层之间,所述第二无机层位于所述电容金属层和所述源/漏极金属层之间;
所述垫高部包括不同层的第一垫高部和第二垫高部,所述栅极金属层和所述电容金属层中的一者与所述第一垫高部同层设置,所述栅极金属层和所述电容金属层中的另一者与所述第二垫高部同层设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示功能层包括沿着垂直于所述显示面板的方向依次层叠的阳极层、有机发光层、阴极层,所述第一垫高部和/或所述第二垫高部通过第二过孔与所述阴极层电连接。
9.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机层位于所述遮光金属层和所述栅极金属层之间,所述垫高部与所述遮光金属层同层设置。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述无机层包括第三无机层和第四无机层,所述第三无机层位于所述遮光金属层和所述栅极金属层之间,所述第四无机层位于所述栅极金属层和所述电容金属层之间;
所述垫高部包括不同层的第三垫高部和第四垫高部,所述第三垫高部与所述栅极金属层和所述遮光金属层的其中一者同层设置,所述第四垫高部与所述栅极金属层和所述遮光金属层的其中另一者同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的