[发明专利]一种可实现快速抱闸的电路有效

专利信息
申请号: 201811451575.X 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109756158B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 徐敬;刘东辉;李木林;金鹏;刘纯;周瑜 申请(专利权)人: 武汉华中数控股份有限公司
主分类号: H02P3/16 分类号: H02P3/16
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张涛;张瑾
地址: 430223 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 实现 快速 电路
【权利要求书】:

1.一种可实现快速抱闸的电路,其特征在于:包括直流电源、制动器抱闸线圈、开关元件、二极管、气体放电管以及用于电路关断后消耗所述制动器抱闸线圈内储存磁能的电阻,所述开关元件、制动器抱闸线圈和直流电源依次串联,所述电阻、气体放电管和二极管依次串联后并联在制动器抱闸线圈的两端,形成续流回路。

2.如权利要求1所述的可实现快速抱闸的电路,其特征在于:所述开关元件为MOS管,所述MOS管栅极用于接收控制信号,所述MOS管栅极在接收到导通控制信号后快速导通,使所述直流电源中的直流电压施加在所述制动器抱闸线圈两端;当所述MOS管栅极接收到关断控制信号后快速关断,断开所述直流电源供电回路。

3.如权利要求2所述的可实现快速抱闸的电路,其特征在于:所述MOS管漏极与源极之间能承受的压差高于所述气体放电管直流放电电压与所述直流电源电压之和。

4.如权利要求2所述的可实现快速抱闸的电路,其特征在于:所述MOS管被关断时,所述MOS管漏极处的电压幅值与所述直流电源电压的幅值差值超过所述气体放电管的直流放电电压,所述气体放电管内的惰性气体被击穿,使所述气体放电管两端短路,继而使高压直接施加在所述电阻两端,忽略二极管两端降压,此时施加在所述电阻两端的电压值Ur为:

Ur=UD-V1=UFD

其中,UD为MOS管漏极处的电压,V1为直流电源电压,UFD为气体放电管的直流放电电压。

5.如权利要求4所述的可实现快速抱闸的电路,其特征在于:在保持所述电阻的阻值不变的情况下,提高Ur即UFD,即可提高所述电阻消耗能量的功率,实现快速消耗所述制动器抱闸线圈内的磁能,改变Ur即UFD的幅值可以通过气体放电管的选型控制。

6.如权利要求2所述的可实现快速抱闸的电路,其特征在于:所述制动器抱闸线圈一端连接所述直流电源正极,另一端连接所述MOS管漏极,所述MOS管源极连接所述直流电源负极,所述MOS管漏极同时还连接所述二极管D1正极,所述二极管D1负极连接所述气体放电管一端,所述气体放电管另一端连接所述电阻一端,所述电阻另一端连接所述直流电源正极。

7.如权利要求1所述的可实现快速抱闸的电路,其特征在于:所述气体放电管的直流放电电压高于所述直流电源电压幅值。

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