[发明专利]半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺

权利要求书

1.一种半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，其特征在于：该工艺是在扩散炉内将P掺入硅片中，P杂质的掺杂源为三氯氧磷，该工艺包括如下步骤：

(1)入炉前准备：

扩散炉加热到850℃，待用；硅片进行清洗；

(2)一次升温：

将经步骤(1)处理后的硅片摆入石英舟中，并一同置于扩散炉炉管中；炉内通入流量为5slm氮气，并以5℃/min的速率将扩散炉升温至预淀积温度T1；

(3)杂质预淀积：

进行P杂质预淀积时，先通入流量5slm的氧气并保持5min，然后在流量5slm氮气条件下通入POCl₃和氧气的混合气体，混合气体中POCl₃的流量为0.5slm、氧气的流量为0.5slm；

(4)二次升温：

将扩散炉在氮气和氧气的混合气氛下以5℃/min的速率升温至再扩散温度T2；

(5)杂质再扩散：

在氧气或者氧气与氢气的混合气氛下进行杂质再扩散过程；单一气氛时氧气流量为5slm；混合气氛时氧气流量为5slm，氢气流量为6slm；

(6)降温：

将扩散炉在5slm氮气气氛下以3℃/min的速率降温至600℃以下，取出硅片后自然降温。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，其特征在于：步骤(1)中，硅片进行清洗的过程中依次采用清洗液1、清洗液2和清洗液3；清洗液1为H₂SO₄和H₂O₂混合液，清洗液2为NH₃·H₂O、H₂O₂和水的混合液，清洗液3为氢氟酸。

3.根据权利要求1所述的半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，其特征在于：步骤(3)中，当达到P杂质预淀积的设定时间后，炉内通入5slm流量的氧气并保持一段时间后，再进行步骤(4)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制备过程中的杂质扩散工艺，其特征在于：步骤(4)中，所述混合气氛中的氮气流量为5slm，氧气流量为0.5slm。