[发明专利]一种太阳能电池材料在审
申请号: | 201811453177.1 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111341654A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 邬恒果 | 申请(专利权)人: | 余姚市牧晟光伏发电有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/028;H01L31/06 |
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地址: | 315420 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 材料 | ||
1.一种太阳能电池太阳能电池,按工艺线的生产顺序分为如下步骤:对硅片进行前道化学预处理;在硅片上制作PN结;对硅片进行去边结处理;对硅片的表面进行钝化处理;制作正面电极和背面电极;正面电极和背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿处理,其特征在于采用选择性扩散工艺法在硅片上制作PN结,其具体过程为:在硅片的一个表面上喷涂磷源,磷源为含磷酸的浆料,然后烘干硅片以保持磷源均匀粘附在硅片的这个表面上,烘干温度为300~500℃,烘干时间为15~25分钟;根据欲制作的正面电极的预设长度和预设宽度,在硅片粘附有磷源的表面上选择确定欲制作正面电极的位置,用激光逐一对硅片上欲制作正面电极的位置处进行加热,使该位置处的温度达到900~1300℃,促使均匀粘附在硅片的一个表面上的磷源中的磷向硅片内扩散,以在被激光照射的欲制作正面电极的位置处形成薄层电阻为20~40欧姆/平方厘米的重掺杂区域,而在未被激光照射的表面形成薄层电阻为90~200欧姆/平方厘米的轻掺杂区域,由重掺杂区域和轻掺杂区域构成发射区n+层;利用常规的烧结炉在温度为700~980℃的条件下对磷扩散后的硅片进行整体加热2~30分钟,在硅片上形成PN结。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造