[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片、芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811453289.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109659408B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi2O2Se薄膜。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度与所述第一子层的厚度相等。
3.根据权利要求2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述接触层的厚度为1nm～4nm。
4.一种氮化镓基发光二极管芯片，所述氮化镓基发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、接触层、N型电极和P型电极，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，所述接触层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述接触层上；其特征在于，所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi2O2Se薄膜。
5.一种氮化镓基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；
其中，所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi2O2Se薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二子层采用化学气相沉积方法形成。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积方法形成所述第二子层，包括：
在所述第一子层形成之后，将所述衬底放入反应室内；
向所述反应室内通入气态的Bi2O3和气态的Se，在所述第一子层上沉积Bi2O2Se薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述反应室内的温度为800℃～1000℃。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述反应室内的压力为50torr～300torr。
10.一种氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层；其中，所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi2O2Se薄膜；
在所述接触层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；
在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，在所述P型半导体层上设置P型电极。
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