[发明专利]一种氮化镓基发光二极管制备方法在审
| 申请号： | 201811453886.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109326687A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 魏曙亮 | 申请（专利权）人： | 江苏中谷光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之;潘朱慧 |
| 地址： | 226017 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 氮化处理 接触层 氮化镓基发光二极管 低温氮化镓层 衬底表面 氮化镓层 连续沉积 氢化处理 发光层 衬底 制备 退火 高温氮化镓层 表面形貌 高温退火 制备周期 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将衬底进行升温氢化处理；
将经过升温氢化处理的衬底进行降温氮化处理；
在经过降温氮化处理的衬底表面上沉积氮化镓层，所述氮化镓层是在升温过程中沉积在所述衬底表面上，所述氮化镓层包括低温氮化镓层和高温氮化镓层，所述低温氮化镓层沉积在所述衬底表面上，所述高温氮化镓层沉积在所述低温氮化镓层上，所述的高温氮化镓层和低温氮化镓层是以连续沉积方式依次沉积在所述衬底表面上，沉积所述高温氮化镓层的温度高于沉积所述低温氮化镓层的温度；
在所述氮化镓层上沉积第一接触层；
在所述第一接触层沉积发光层；
在所述发光层沉积第二接触层。
2.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，沉积所述高温氮化镓层升温速率大于沉积所述低温氮化镓层升温速率。
3.如权利要求2所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，沉积所述高温氮化镓层升温速率是沉积所述低温氮化镓层升温速率的3～10倍。
4.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，沉积所述高温氮化镓层升温过程包括第一升温阶段和第二升温阶段，所述第一升温阶段升温速率大于所述第二升温阶段升温速率。
5.如权利要求4所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，所述第一升温阶段过程中通入铝源。
6.如权利要求5所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，所述铝源流量与所述第一升温阶段升温速率保持同步上升。
7.如权利要求6所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，所述铝源流量为10～100sccm，所述第一升温阶段升温速率为100～200℃/min。
8.如权利要求4所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，所述的低温氮化镓层生长速率小于所述高温氮化镓层生长速率。
9.如权利要求8所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，所述高温氮化镓层位于所述第一升温阶段生长速率大于所述高温氮化镓层位于所述第二升温阶段生长速率。
10.如权利要求9所述的氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于，所述第一升温阶段氨源流量大于所述第二升温阶段氨源流量，所述第一升温阶段镓源流量等于所述第二升温阶段镓源流量。
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