[发明专利]铁电存储器件

权利要求书

1.一种铁电存储器件，包括：

半导体衬底；

NMOS型的第一铁电存储单元晶体管，其设置在所述半导体衬底的第一区域中；以及

PMOS型的第二铁电存储单元晶体管，其设置在所述半导体衬底的与所述第一区域相邻的第二区域中，

其中，所述第一铁电存储单元晶体管的第一栅电极层与所述第二铁电存储单元晶体管的第二栅电极层彼此电连接。

2.如权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，所述第一铁电存储单元晶体管和所述第二铁电存储单元晶体管被控制为储存相同的信号信息。

3.如权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，所述第一铁电存储单元晶体管的第一铁电层储存具有第一极化方向的剩余极化，以及所述第二铁电存储单元晶体管的第二铁电层储存具有相反的第二极化方向的剩余极化。

4.如权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，所述第一区域包括：

第一阱，其被掺杂成p型；以及

第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区和第一漏极区设置在所述第一阱中以彼此间隔开并被掺杂成n型，以及

其中，所述第二区域包括：

第二阱，其被掺杂成n型；以及

第二源极区和第二漏极区，所述第二源极区和第二漏极区设置在所述第二阱中以彼此间隔开并被掺杂成p型。

5.如权利要求4所述的铁电存储器件，还包括：

第一源极线，其电连接到所述第一源极区；

第一位线，其电连接到所述第一漏极区；

第二源极线，其电连接到所述第二源极区；以及

第二位线，其电连接到所述第二漏极区，以及

其中，所述第一栅电极层与所述第二栅电极层通过字线彼此电连接。

6.如权利要求1所述的铁电存储器件，

其中，所述第一铁电存储单元晶体管包括第一铁电层，所述第一铁电层设置在被掺杂成p型的第一阱上，

所述第二铁电存储单元晶体管包括第二铁电层，所述第二铁电层设置在被掺杂成n型的第二阱上，

所述第一栅电极层设置在所述第一铁电层上，以及

所述第二栅电极层设置在所述第二铁电层上。

7.如权利要求6所述的铁电存储器件，还包括：

第一界面绝缘层，其设置在所述第一阱与所述第一铁电层之间；以及

第二界面绝缘层，其设置在所述第二阱与所述第二铁电层之间。

8.如权利要求6所述的铁电存储器件，

其中，所述第一铁电层和所述第二铁电层中的每一个包括氧化铪HfO₂、氧化锆ZrO₂和氧化铪锆Hf_0.5Zr_0.5O₂中的至少一种。

9.如权利要求6所述的铁电存储器件，

其中，所述第一铁电层和所述第二铁电层中的每一个包括选自碳C、硅Si、镁Mg、铝Al、钇Y、氮N、锗Ge、锡Sn、锶Sr、铅Pb、钙Ca、钡Ba、钛Ti、钆Gd和镧La中的至少一种作为掺杂剂。

10.如权利要求6所述的铁电存储器件，

其中，所述第一栅电极层和所述第二栅电极层中的每一个包括选自钨W、钛Ti、铜Cu、铝Al、钌Ru、铂Pt、铱Ir、氧化铱、氮化钨、氮化钛、氮化钽、碳化钨、碳化钛、硅化钨、硅化钛、硅化钽和氧化钌中的至少一种。

11.一种铁电存储器件，包括：

NMOS型的第一铁电存储单元晶体管，其与第一位线和第一源极线连接；以及

PMOS型的第二铁电存储单元晶体管，其与第二位线和第二源极线连接，

其中，所述第一铁电存储单元晶体管与所述第二铁电存储单元晶体管彼此相邻设置并共用字线。