[发明专利]一种hiPSCs来源的类脑组织产生方法在审
申请号: | 201811454390.4 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111254118A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 秦建华;崔康莉;王亚清 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | C12N5/10 | 分类号: | C12N5/10 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hipscs 来源 组织 产生 方法 | ||
1.一种hiPSCs来源的类脑组织产生方法,其特征在于按照以下步骤进行:
(1)微柱阵列芯片的制备;
(2)在芯片上诱导类脑。
2.按照权利要求要求1所述一种hiPSCs来源的类脑组织产生方法,其特征在于:所述微柱阵列芯片是由芯片外围坝结构包围微柱结构形成;用于类器官的生长,微柱结构的直径为500-1000微米,高度为500-100微米,微柱间距为50-100微米,四个微柱结构围成的区域为类脑的形成区域。
3.按照权利要求1所述一种hiPSCs来源的类脑组织产生方法,其特征在于:步骤(1)高通量微柱阵列芯片的制备,具体为:
(1)使用软蚀刻技术制备SU-8模板,此模板为高通量凹陷小坑,之后对模板进行低粘附修饰,保证SU-8模板与PDMS聚合物容易分离;
(2)制作高通量阵列微柱结构的PDMS聚合物芯片:将PDMS与引发剂184按照体积比10~14:1混成均匀相,之后浇注到SU-8模板上,抽真空去除泡沫,置于80℃烘箱固化20-120分钟,常温将带有结构的PDMS芯片与SU-8模板分离,得到高通量的微柱阵列PDMS芯片;
(3)在PDMS芯片周边用相当大小的石英环将结构封闭,放于80℃烘箱内加热至凝固,得到微阵列芯片。
4.按照权利要求1所述的一种hiPSCs来源的类脑组织产生方法其特征在于:所述的微柱阵列芯片使用时必须无菌,需要将制备好的芯片放于高温灭菌锅灭菌待用。
5.按照权利要求1所述的一种hiPSCs来源的类脑组织产生方法,其特征在于:步骤(2)在芯片上诱导3D类脑;具体为:
(1)使用高通量的小坑芯片产生拟胚体:坑状结构置于24孔板中,小坑芯片结构直径为600-800微米,深度为100-300微米,用于制备拟胚体的形成;
(2)制备拟胚体阶段,将融合度为70%-80%的hiPSCs消化成单细胞,一个六孔板里面加1.5ml含有ROCK inhibitor Y27632的mTeSR1培养基,之后置于24孔板中用于拟胚体的形成;
所述含有ROCK inhibitor Y27632的mTeSR1培养基中:ROCK inhibitor Y27632的母液与mTeSR1培养基的体积比为1:5000;
所述的ROCK inhibitor Y27632在母液中的浓度为30mM;
(3)将形成的拟胚体转移至高通量微柱芯片,并加含有ROCK inhibitor Y27632以及Dorsomorphine、A83-01的KSR培养基培养3天,3天之后加入含有bFGF以及Dorsomorphine、A83-01的KSR培养基;
所述含有ROCK inhibitor Y27632以及Dorsomorphine、A83-01的KSR培养基培中:ROCKinhibitor Y27632的母液与KSR培养基的体积比为1:2000;Dorsomorphine的母液与KSR的体积比为1:4000.A83-01的母液与KSR的体积比为1:4000;
所述含有bFGF以及Dorsomorphine、A83-01的KSR培养基中:bFGF的母液与KSR培养基的体积比为1:25000,Dorsomorphine的母液与KSR的体积比为1:4000;A83-01的母液与KSR的体积比为1:4000;
所述ROCK inhibitor Y27632在母液中的浓度为30mM;
所述Dorsomorphine在母液中的浓度为10mM;
所述A83-01在母液中的浓度为10mM;
所述bFGF在母液中的浓度为100ug/ml;
(4)到第6天时换成含有bFGF的NIM培养基,3天后换成不含bFGF的NIM培养基,加两天;
所述含有bFGF的NIM培养基中:bFGF的母液的体积与NIM培养基的体积比为:1:25000;
所述bFGF在母液中的浓度为100ug/ml;
(5)第11天时加入NDM培养基,无需使用matrigel包埋,一直诱导至30天,形成和孕期脑发育早期相似的类脑,并对其进行鉴定。
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