[发明专利]具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路及其实现方法

权利要求书

1.一种具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路，其特征在于，所述上电复位/掉电检测电路包括：

上电复位模块，用于在电源上电时，检测电源电压，并在电源电压大于第一阈值电压时，产生一上电阶跃信号以输出；

掉电检测模块，连接于所述上电复位模块，用于在电源掉电时，检测电源电压，并在电源电压小于第二阈值电压时，产生一掉电阶跃信号以输出；

波形整合模块，连接于所述上电复位模块和所述掉电检测模块，用于在电源上电时，将所述上电阶跃信号进行波形整合，产生一上电复位阶跃信号以输出；在电源掉电时，将所述掉电阶跃信号进行波形整合，产生一掉电检测阶跃信号以输出；

脉冲产生模块，连接于所述波形整合模块，用于在电源上电时，对所述上电复位阶跃信号进行处理，产生一上电复位脉冲信号以输出；在电源掉电时，对所述掉电检测阶跃信号进行处理，产生一掉电检测脉冲信号以输出；

其中，在所述脉冲产生模块产生所述上电复位脉冲信号后，所述上电复位/掉电检测电路进入电压稳定状态，实现零静态功耗；

所述掉电检测模块包括：

掉电检测电路，用于在电源掉电时，检测所述电源电压；

掉电阶跃信号产生电路，连接于所述掉电检测电路和所述上电复位模块，用于比较所述电源电压和所述第二阈值电压，并在所述电源电压小于所述第二阈值电压时，产生所述掉电阶跃信号以输出；

所述掉电检测电路包括：至少一个第三PMOS管及第五NMOS管，其中所述第三PMOS管的源极端接入电源电压，所述第三PMOS管的栅极端连接于所述第三PMOS管的漏极端，所述第三PMOS管的漏极端连接于所述第五NMOS管的栅极端，并且作为所述掉电检测电路的输出端，所述第五NMOS管的源极端连接于所述第五NMOS管的漏极端，同时接地；其中，在所述第三PMOS管的数量大于1时，多个所述第三PMOS管串联。

2.根据权利要求1所述的具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路，其特征在于，所述上电复位模块包括：

上电检测电路，用于在电源上电时，检测所述电源电压；

上电阶跃信号产生电路，连接于所述上电检测电路，用于比较所述电源电压和所述第一阈值电压，并在所述电源电压大于所述第一阈值电压时，产生所述上电阶跃信号以输出。

3.根据权利要求2所述的具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路，其特征在于，所述上电检测电路包括：至少一个第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管，其中所述第一PMOS管的源极端接入电源电压，所述第一PMOS管的栅极端连接于所述第一PMOS管的漏极端，所述第一PMOS管的漏极端连接于所述第一NMOS管的漏极端，所述第一NMOS管的栅极端连接于所述上电阶跃信号产生电路，所述第一NMOS管的源极端连接于所述第二NMOS管的漏极端，所述第二NMOS管的栅极端连接于所述第二NMOS管的漏极端，同时连接于所述第三NMOS管的栅极端，所述第二NMOS管的源极端接地，所述第三NMOS管的源极端接地，所述第三NMOS管的漏极端连接于所述第二PMOS管的栅极端，所述第二PMOS管的栅极端作为所述上电检测电路的输出端，所述第二PMOS管的源极端连接于所述第二PMOS管的漏极端，同时连接于所述电源电压；其中，在所述第一PMOS管的数量大于1时，多个所述第一PMOS管串联。

4.根据权利要求2所述的具有零静态功耗的上电复位/掉电检测电路，其特征在于，所述上电阶跃信号产生电路包括：第一反相器、第二反相器、第三反相器及第四NMOS管，其中所述第一反相器的输入端连接于所述上电检测电路的输出端，同时连接于所述第四NMOS管的漏极端，所述第一反相器的输出端连接于所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接于所述第三反相器的输入端，同时连接于所述上电检测电路和所述掉电检测模块，所述第三反相器的输出端作为所述上电阶跃信号产生电路的输出端，同时连接于所述第四NMOS管的栅极端，所述第四NMOS管的源极端接地。