[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构，所述半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；

位于所述第二区域的沟槽；

位于所述沟槽内的隔离结构，所述隔离结构包括：位于所述沟槽表面的绝缘层以及位于所述绝缘层背离所述沟槽一侧的信号阻挡层，所述信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；

其中，所述第一方向平行于所述沟槽的深度延伸方向。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述信号阻挡层沿第二方向的厚度取值范围为1000埃-5000埃，包括端点值，其中，所述第二方向垂直于所述沟槽的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度大于1μm。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层沿所述第一方向的长度大于零且不大于0.6μm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的材料为钨。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的电位小于零。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述沟槽表面的第二氧化物层以及位于所述第二氧化物层背离所述沟槽一侧的高k介质层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化物层的形成工艺为原子层沉积工艺或高深宽比沉积工艺或炉管沉积工艺。

9.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

制备半导体结构，所述半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；

在所述第二区域形成沟槽；

在所述沟槽内形成隔离结构，所述隔离结构包括：位于所述沟槽表面的绝缘层以及位于所述绝缘层背离所述沟槽一侧的信号阻挡层，所述信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；

其中，所述第一方向平行于所述沟槽的深度延伸方向。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，在所述沟槽内形成隔离结构包括：

在所述沟槽表面形成绝缘层；

在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层；

在所述绝缘层背离所述沟槽一侧，所述第一氧化物层表面形成金属层。

11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层包括：

利用原子层沉积工艺，在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层。

12.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层包括：

利用高深宽比沉积工艺，在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层。

13.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层包括：

利用炉管沉积工艺在所述绝缘层背离所述沟槽一侧形成第一氧化物层。

14.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，该方法还包括：

将所述金属层电连接至预设电位，所述预设电位小于零。