[发明专利]半导体器件及其形成方法、切割方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一面和第二面，所述器件晶圆包括多个第一器件区和位于相邻第一器件区之间的第一划片槽区；

承载晶圆，所述承载晶圆包括多个第二器件区和位于相邻第二器件区之间的第二划片槽区，所述承载晶圆包括第三面，所述承载晶圆第三面与器件晶圆第二面键合，相互键合的器件晶圆和承载晶圆，所述第二划片槽区投影在第一面表面的图形位于第一划片槽区内，并且所述第二器件区投影在第一面表面的图形位于第一器件区内；

位于器件晶圆第一划片槽区内的第一隔离结构；

位于承载晶圆第二划片槽区内的第二隔离结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述器件晶圆和承载晶圆具有基底，所述第一隔离结构位于器件晶圆基底内，所述第二隔离结构位于承载晶圆基底内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构的材料与器件晶圆的基底材料不同。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离结构的材料与承载晶圆的基底材料不同。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离结构的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个第一器件区沿第一方向排列，在第一方向上，所述第一隔离结构的宽度为10um～30um。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一划片槽区包括：第一中心区和位于第一中心区两侧的第一边缘区，所述第一中心区与第一边缘区邻接；位于第一边缘区的第一隔离结构，且所述第一隔离结构延伸至第一中心区内。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离结构包括一个第一隔离层或者多个分立的第一隔离层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一隔离层到相邻第一器件区的最小距离的范围为5um～10um。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个第二器件区沿第二方向排列，在第二方向上，所述第二隔离结构的宽度为10um～30um。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二划片槽区包括：第二中心区和位于第二中心区两侧的第二边缘区，所述第二中心区和第二边缘区邻接；位于第二边缘区的第二隔离结构，且所述第二隔离结构延伸至第二中心区内。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离结构包括一个或多个分立的第二隔离层。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离层到相邻第二器件区的最小距离为5um～10um。