[发明专利]在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用在审
| 申请号： | 201811456891.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261509A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 钱炜彬 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基体 蚀刻 沟槽 方法 及其 应用 | ||
1.一种在硅基体中蚀刻沟槽的方法，其特征在于，包括：
在硅基体的上表面上形成保护图案；
利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述混合气体中，所述氯气、所述溴化氢、和所述氦氧气体的流量比为(22.5-27.5)：(31.5-38.5)：(3-5)。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氯气、所述溴化氢、和所述氦氧气体流量比为25：35：4。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氦氧气体中，氦气和氧气的流量比为7:3，氦气和氧气通过同一管路通入反应腔室。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述蚀刻混合气体施加磁场。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述蚀刻在P-500poly蚀刻腔室中进行，所述蚀刻满足以下条件的至少一种：
阴极温度为55-65摄氏度；
Wall温度为60-70摄氏度；
蚀刻深度为1-4微米；
蚀刻宽度为0.5-1微米；
腔室压力为75-125mT；
射频正向功率为350-450W；
磁场强度为25-35gauss。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述蚀刻之前，还包括对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行预处理，以去除所述硅基体表面的氧化膜层。
8.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括利用权利要求1-7中任一项所述的方法在硅基体中蚀刻沟槽的步骤。
9.一种硅衬底，其特征在于，包括：
硅基体；
沟槽，所述沟槽是通过权利要求1-6中任一项所述的方法对所述硅基体蚀刻后形成的。
10.根据权利要求9所述的硅衬底，其特征在于，所述沟槽的侧壁与垂直于所述硅基体的上表面的法线之间的夹角不大于5度。
11.根据权利要求10所述的硅衬底，其特征在于，所述沟槽的纵横比为(2-6)：1。
12.一种半导体器件，其特征在于，是通过权利要求8所述的方法制备获得的，或者包括权利要求9-11中任一项所述的硅衬底。
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