[发明专利]一种形成浅沟槽隔离结构的方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括以下过程：

提供半导体衬底，所述半导体衬底背面上形成有氧化层；

通过炉管工艺在所述半导体衬底正面上形成第一氮化物层，在所述氧化层上形成第二氮化物层；

对所述半导体衬底的正面进行刻蚀以在所述半导体衬底中形成浅沟槽；

对所述浅沟槽进行绝缘介质填充，以形成浅沟槽隔离结构；以及

通过湿法刻蚀工艺去除所述第一氮化物层和第二氮化物层。

2.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，对所述浅沟槽进行绝缘介质填充之后，还包括：

对填充了绝缘介质的所述半导体衬底正面进行化学机械抛光，直至露出所述第一氮化物层。

3.如权利要求2所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，对所述半导体衬底正面进行化学机械抛光之前，所述第一氮化物层和第二氮化物层的厚度范围均为90nm～120nm；对所述半导体衬底正面进行化学机械抛光之后，所述第一氮化物层的厚度范围为20nm～40nm。

4.如权利要求1-3中任一项所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，形成所述第一氮化物层和第二氮化物层的材料为氮化硅。

5.如权利要求4所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，去除所述第一氮化物层和第二氮化物层的步骤，包括以下过程：

将形成有所述浅沟槽隔离结构的半导体衬底浸入热磷酸刻蚀液中；

其中，所述热磷酸刻蚀液由25％～35％的去离子水和65％～75％的浓磷酸配合而成，所述热磷酸刻蚀液的刻蚀率为5nm/min～7nm/min，所述刻蚀温度保持150℃～180℃，设定所述刻蚀时间范围为900s～1200s。

6.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括Core区域和I/O区域，所述Core区域和I/O区域的半导体衬底正面上覆盖有外延层，所述外延层的材料与所述半导体衬底的材料相同。

7.如权利要求6所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，在形成所述第一氮化物层和第二氮化物层之前还包括：

在所述Core区域和I/O区域的所述外延层上形成缓冲氧化物层。

8.如权利要求7所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述缓冲氧化物层为通过热氧化工艺形成的二氧化硅层。

9.如权利要求8所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述形成浅沟槽的步骤还包括：

在所述半导体衬底的全局表面上形成掩膜层，利用光刻工艺对其图形化以此定义出形成所述浅沟槽的位置；

利用掩膜层对具有所述缓冲氧化物层和所述第一氮化物层的半导体衬底进行刻蚀形成浅沟槽。

10.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，所述绝缘介质为二氧化硅。