[发明专利]一种用于化学机械研磨的研磨系统及研磨方法在审
| 申请号： | 201811458524.X | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109531404A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 周仁伟;李虎;杨钰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B37/005;B24B37/013;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 晶圆 研磨压力 厚度信息 均匀性 研磨头 化学机械研磨 薄膜层面 研磨系统 工艺稳定性 反馈 系统采集 小区域 微调 圆面 采集 优化 | ||
1.一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，包括IAPC系统、用于研磨一晶圆的研磨头、多个施力部件；
所述研磨头包括圆形的第一研磨区域以及多个与所述第一研磨区域同心的圆环状研磨区域；
每个所述圆环状研磨区域均包括包括多个子研磨区域；
所述多个施力部件分别用于对所述第一研磨区域以及所述多个子研磨区域提供研磨压力；
所述IAPC系统用于采集所述待研磨晶圆的厚度数据并根据所述厚度数据控制所述施力部件施加的研磨压力。
2.如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，所述多个圆环状研磨区域数量为1～10个。
3.如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，所述多个圆环状研磨区域数量为3个。
4.如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，每个所述圆环状研磨区域中子研磨区域的数量为2～10个。
5.如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，每个所述圆环状研磨区域中子研磨区域的数量为6个。
6.如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，所述多个子研磨区域沿每个对应的所述圆环状研磨区域的周向均匀分布。
7.如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统，其特征在于，所述多个子研磨区域沿每个对应的所述圆环状研磨区域的周向非均匀分布。
8.一种利用如权利要求1所述的一种用于化学机械研磨的研磨系统对晶圆进行研磨的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：所述IAPC系统采集所述待研磨晶圆的厚度信息；
S2：所述IAPC系统根据所述厚度信息调整每个所述施力部件施加的研磨压力；
S3：所述施力部件分别对所述第一研磨区域以及所述多个子研磨区域施加研磨力，所述研磨头对所述待研磨晶圆进行研磨；
S4：所述IAPC采集所述S3中研磨后的晶圆的厚度信息并判断研磨后的晶圆是否符合标准，符合标准则结束研磨，否则重复执行S1-S4。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811458524.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：球体的精密研抛装置
- 下一篇：基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
