[发明专利]酸槽式湿法刻蚀工艺

权利要求书

1.一种酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，包括：

进行第一次酸槽刻蚀；

根据酸槽中小换酸的周期内累计处理的硅片数量计算刻蚀速率；

根据计算的刻蚀速率和硅片的薄膜的刻蚀量获得工艺时间；

进行第二次酸槽刻蚀，根据第二次工艺刻蚀时间和第二次刻蚀掉的硅片的薄膜的值获得实际的刻蚀速率；

从第二次酸槽刻蚀开始，根据第一次计算的刻蚀速率和实际的刻蚀速率对比，调节此次工艺刻蚀的速率的计算。

2.如权利要求1所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述小换酸的周期为从小换酸完成后到下一次小换酸开始为一个小换酸的周期。

3.如权利要求1所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述小换酸的周期内的硅片的刻蚀速率递减。

4.如权利要求1所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，小换酸的酸为磷酸。

5.如权利要求1所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，计算刻蚀速率的方法为：

ER＝[Monitor ER-(Wafer Count×ER delta)]

其中：Monitor ER为一个小换酸周期内小换酸后的起始刻蚀速率；wafer count指一个小换酸的周期的累计处理硅片数量；ER delta指一个小换酸的周期内作业一片硅片刻蚀速率的递减量。

6.如权利要求5所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，计算工艺时间的方法为：

工艺时间＝(工艺前值-目标值)/刻蚀速率

其中：工艺前值为刻蚀工艺处理前的薄膜厚度，目标值为刻蚀工艺处理后要求的目标薄膜厚度。

7.如权利要求6所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述Monitor ER和所述ERdelta可以通过实验测试获得。

8.如权利要求7所述的酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，所述计算的刻蚀速率与实际刻蚀速率相差越小，工艺时间的控制越精准。