[发明专利]电阻模型的建立方法

权利要求书

1.一种电阻模型的建立方法，用于自对准源极电阻，其特征在于，所述电阻模型的建立方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元区域和非存储单元区域；

对所述存储单元区域建立第一电阻模型；

对所述非存储单元区域建立第二电阻模型；

将所述第一电阻模型和所述第二电阻模型复合，以得到对应所述半导体衬底的第三电阻模型；

其中，对所述存储单元区域建立第一电阻模型包括：

将所述存储单元区域分为有源区、浅槽隔离底部和有源区侧壁三种区域；

获取所述有源区、所述浅槽隔离底部和所述有源区侧壁三种区域的电阻测试结构；

分别计算三种所述电阻测试结构中单位长度的电阻值；

根据所述存储单元包含的所述有源区、浅槽隔离底部和有源区侧壁三种区域的尺寸，分别结合各自区域单位长度的电阻值，建立所述存储单元的第一电阻模型；

根据所述非存储单元区域的方块电阻对所述非存储单元建立第二电阻模型；

对所述非存储单元区域建立第二电阻模型包括：

测量所述非存储单元区域的尺寸；

根据适用于所述非存储单元区域的公式R＝L/W*Rs进行计算，其中R为所述非存储单元区域中电阻区的电阻，L为所述非存储单元区域中电阻区的长度，W为所述非存储单元区域中电阻区的宽度，Rs为所述非存储单元区域中电阻区的方块电阻。

2.如权利要求1所述的电阻模型的建立方法，其特征在于，所述有源区、所述浅槽隔离底部和所述有源区侧壁三种区域中，各区域内的电阻率相同，不同区域之间的电阻率不同。

3.如权利要求1所述的电阻模型的建立方法，其特征在于，分别计算三种所述电阻测试结构中单位长度的电阻值包括：

对所述三种区域取相同的电阻宽度值，分别测量所述三种区域内单位长度的电阻长度；

在所述三种区域上分别施加一定电压V，测量对应的电流I；

根据公式Rsqr＝V/I分别计算出所述三种区域各自单位长度的电阻值，其中Rsqr是单位长度的电阻值。

4.如权利要求1所述的电阻模型的建立方法，其特征在于，所述非存储单元区域连接所述存储单元区域。

5.如权利要求1所述的电阻模型的建立方法，其特征在于，所述第一电阻模型的函数关系式为：y＝0.0513x²-10.383x+833.85，其中x为所述存储单元区域的电阻宽度，y为所述存储单元区域的电阻。

6.如权利要求1所述的电阻模型的建立方法，其特征在于，所述第三电阻模型的函数关系式为：y＝0.0112x²-1.8349x+85.45，其中x为所述半导体衬底的电阻宽度，y为所述半导体衬底的电阻。