[发明专利]一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法及系统

权利要求书

1.一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，包括如下步骤：

步骤S1，于MOS晶体管的栅极施加扫描电压Vg；

步骤S2，确定该MOS晶体管的测试频率；

步骤S3，于该MOS晶体管的栅极施加所述测试频率的小信号交流电；

步骤S4，测量该MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；

步骤S5，按设定步长增加扫描电压Vg并测量该MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；

步骤S6，判断该扫描电压Vg是否到达预设电压值，于到达预设电压值时，进入步骤S7；

步骤S7，判断该栅极小信号电容Cgg是否与正常模型相符，若所述栅极小信号电容Cgg与Vg关系曲线与正常模型相符，则结束测量，若否，则降低测试频率，然后返回S2重新测量。

2.如权利要求1所述的一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，其特征在于：于步骤S6中，若所述扫描电压Vg未到达预设电压值，则返回步骤S3，直到Vg到达预设电压值。

3.如权利要求2所述的一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，其特征在于：于步骤S3中，对于所有MOS晶体管，于其栅极施加的小信号交流电初始测试频率为AkHz，其中A为大于或等于0.1的值。

4.如权利要求3所述的一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，其特征在于：于步骤S3中，对于因各种工艺条件或版图导致沟道电阻较大的MOS晶体管，于其栅极施加（A/10）KHz的小信号交流电。

5.如权利要求1所述的一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，其特征在于：于步骤S1中，于该MOS晶体管栅极施加扫描电压Vg= -Vdd，所述Vdd为电源电压。

6.如权利要求5所述的一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，其特征在于：于步骤S6中，判断扫描电压Vg是否到达Vdd，于到达Vdd时，进入步骤S7。

7.一种MOS晶体管栅极小信号电容测试装置，包括：

扫描电压施加单元，用于于MOS晶体管的栅极施加扫描电压Vg；

测试频率确定单元，用于确定该MOS晶体管的测试频率；

小信号交流电施加单元，用于该MOS晶体管的栅极施加所述测试频率的小信号交流电；

测量单元，用于测量该MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；

步长递增单元，用于按设定步长增加扫描电压Vg；

扫描电压判断单元，用于判断该扫描电压Vg是否到达预设电压值，于到达预设电压值时，启动栅极小信号电容判断单元；

栅极小信号电容判断单元，用于判断所述栅极小信号电容Cgg与Vg关系曲线是否与正常模型相符，所述栅极小信号电容判断单元于判断所述栅极小信号电容Cgg与Vg关系曲线与正常模型相符时，结束测量，否则降低测试频率，并返回所述测试频率确定单元重新测量。

8.如权利要求7所述的一种MOS晶体管栅极小信号电容测试装置，其特征在于：所述扫描电压判断单元于判断出所述扫描电压Vg未到达预设电压值时，返回所述小信号交流电施加单元，直到所述扫描电压Vg到达所述预设电压值。