[发明专利]MOCVD装置在审
申请号: | 201811458783.2 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111254415A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 庞云玲;南建辉;丁建 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/30 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mocvd 装置 | ||
1.一种MOCVD装置,其特征在于,包括:
壳体(10);
承载组件(20),所述承载组件(20)设置在所述壳体(10)内,所述承载组件(20)包括支撑托盘(21)和承载单元(22),所述承载单元(22)用于承载基片(100),所述承载单元(22)为多个,所述多个承载单元(22)相间隔地分布在所述支撑托盘(21)上;
喷淋组件(30),所述喷淋组件(30)设置在所述壳体(10)内并位于所述承载组件(20)的上方,所述喷淋组件(30)包括上支撑盖(31)和喷淋单元(32),所述喷淋单元(32)用于喷淋混合反应气,所述喷淋单元(32)为多个,所述多个喷淋单元(32)相间隔地设置在所述上支撑盖(31)上并与所述多个承载单元(22)一一对应设置;各所述喷淋单元(32)向与其相对应的一个所述承载单元(22)喷射所述混合反应气,以使所述混合反应气在所述承载单元(22)承载的所述基片(100)上反应形成化合物薄膜。
2.根据权利要求1所述的MOCVD装置,其特征在于,所述喷淋组件(30)和所述承载组件(20)之间形成反应腔室(11),所述MOCVD装置还包括多个导流筒(40),所述多个导流筒(40)位于所述反应腔室(11)内,各所述导流筒(40)的两个筒口分别与一组相对应的所述喷淋单元(32)和所述承载单元(22)中的所述喷淋单元(32)和所述承载单元(22)相对设置,所述导流筒(40)用于将与其对应的所述喷淋单元(32)喷射出的所述混合反应气向与其对应的所述承载单元(22)导流。
3.根据权利要求2所述的MOCVD装置,其特征在于,所述导流筒(40)的第一端与所述上支撑盖(31)连接,且所述导流筒(40)的第一端的筒口罩设所述喷淋单元(32)的喷淋表面(321),所述导流筒(40)的第二端延伸至与所述承载单元(22)相对的位置处,且所述导流筒(40)的第二端的筒口与所述支撑托盘(21)之间形成回流间隙(41),所述承载单元(22)位于所述导流筒(40)的第二端的筒口罩设的范围内。
4.根据权利要求2所述的MOCVD装置,其特征在于,所述喷淋单元(32)的底面形成喷淋表面(321),所述上支撑盖(31)的底面的位于所述多个导流筒(40)之间的部分为主排气表面(311),所述主排气表面(311)上形成有多个排气孔口(313)。
5.根据权利要求2所述的MOCVD装置,其特征在于,所述MOCVD装置还包括多个内套筒(50),各所述导流筒(40)内设置有一个所述内套筒(50),且所述内套筒(50)的远离所述上支撑盖(31)的一端的筒口与所述支撑托盘(21)之间形成回流缝隙(42),所述上支撑盖(31)的底面的位于所述多个导流筒(40)之间的部分为主排气表面(311),所述喷淋单元(32)的底面上位于所述导流筒(40)和所述内套筒(50)之间的部分形成喷淋表面(321),所述喷淋单元(32)的底面上位于所述内套筒(50)罩设范围内的部分形成辅助排气表面(312),所述主排气表面(311)和所述辅助排气表面(312)均具有多个排气孔口(313)。
6.根据权利要求5所述的MOCVD装置,其特征在于,所述导流筒(40)和所述内套筒(50)均为矩形筒或圆筒,且所述内套筒(50)与所述导流筒(40)同轴设置,所述喷淋单元(32)的底面呈与所述导流筒(40)的截面形状相适配的矩形或圆形,所述承载单元(22)的承载面为与所述导流筒(40)的截面形状相适配的矩形或圆形。
7.根据权利要求4或5所述的MOCVD装置,其特征在于,所述多个喷淋单元(32)以矩形阵列或圆周阵列的形式分布在所述上支撑盖(31)上,所述多个承载单元(22)以与所述多个喷淋单元(32)的分布形式相同的阵列形式分布在所述支撑托盘(21)上。
8.根据权利要求4或5所述的MOCVD装置,其特征在于,所述上支撑盖(31)内形成排气通道(314),所述上支撑盖(31)的上表面形成有排气孔(315),所述排气孔口(313)通过所述排气通道(314)与所述排气孔(315)连通。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的