[发明专利]MOCVD装置在审

专利信息
申请号: 201811458783.2 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN111254415A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 庞云玲;南建辉;丁建 申请(专利权)人: 东泰高科装备科技有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/30
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 韩建伟;谢湘宁
地址: 102209 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: mocvd 装置
【权利要求书】:

1.一种MOCVD装置,其特征在于,包括:

壳体(10);

承载组件(20),所述承载组件(20)设置在所述壳体(10)内,所述承载组件(20)包括支撑托盘(21)和承载单元(22),所述承载单元(22)用于承载基片(100),所述承载单元(22)为多个,所述多个承载单元(22)相间隔地分布在所述支撑托盘(21)上;

喷淋组件(30),所述喷淋组件(30)设置在所述壳体(10)内并位于所述承载组件(20)的上方,所述喷淋组件(30)包括上支撑盖(31)和喷淋单元(32),所述喷淋单元(32)用于喷淋混合反应气,所述喷淋单元(32)为多个,所述多个喷淋单元(32)相间隔地设置在所述上支撑盖(31)上并与所述多个承载单元(22)一一对应设置;各所述喷淋单元(32)向与其相对应的一个所述承载单元(22)喷射所述混合反应气,以使所述混合反应气在所述承载单元(22)承载的所述基片(100)上反应形成化合物薄膜。

2.根据权利要求1所述的MOCVD装置,其特征在于,所述喷淋组件(30)和所述承载组件(20)之间形成反应腔室(11),所述MOCVD装置还包括多个导流筒(40),所述多个导流筒(40)位于所述反应腔室(11)内,各所述导流筒(40)的两个筒口分别与一组相对应的所述喷淋单元(32)和所述承载单元(22)中的所述喷淋单元(32)和所述承载单元(22)相对设置,所述导流筒(40)用于将与其对应的所述喷淋单元(32)喷射出的所述混合反应气向与其对应的所述承载单元(22)导流。

3.根据权利要求2所述的MOCVD装置,其特征在于,所述导流筒(40)的第一端与所述上支撑盖(31)连接,且所述导流筒(40)的第一端的筒口罩设所述喷淋单元(32)的喷淋表面(321),所述导流筒(40)的第二端延伸至与所述承载单元(22)相对的位置处,且所述导流筒(40)的第二端的筒口与所述支撑托盘(21)之间形成回流间隙(41),所述承载单元(22)位于所述导流筒(40)的第二端的筒口罩设的范围内。

4.根据权利要求2所述的MOCVD装置,其特征在于,所述喷淋单元(32)的底面形成喷淋表面(321),所述上支撑盖(31)的底面的位于所述多个导流筒(40)之间的部分为主排气表面(311),所述主排气表面(311)上形成有多个排气孔口(313)。

5.根据权利要求2所述的MOCVD装置,其特征在于,所述MOCVD装置还包括多个内套筒(50),各所述导流筒(40)内设置有一个所述内套筒(50),且所述内套筒(50)的远离所述上支撑盖(31)的一端的筒口与所述支撑托盘(21)之间形成回流缝隙(42),所述上支撑盖(31)的底面的位于所述多个导流筒(40)之间的部分为主排气表面(311),所述喷淋单元(32)的底面上位于所述导流筒(40)和所述内套筒(50)之间的部分形成喷淋表面(321),所述喷淋单元(32)的底面上位于所述内套筒(50)罩设范围内的部分形成辅助排气表面(312),所述主排气表面(311)和所述辅助排气表面(312)均具有多个排气孔口(313)。

6.根据权利要求5所述的MOCVD装置,其特征在于,所述导流筒(40)和所述内套筒(50)均为矩形筒或圆筒,且所述内套筒(50)与所述导流筒(40)同轴设置,所述喷淋单元(32)的底面呈与所述导流筒(40)的截面形状相适配的矩形或圆形,所述承载单元(22)的承载面为与所述导流筒(40)的截面形状相适配的矩形或圆形。

7.根据权利要求4或5所述的MOCVD装置,其特征在于,所述多个喷淋单元(32)以矩形阵列或圆周阵列的形式分布在所述上支撑盖(31)上,所述多个承载单元(22)以与所述多个喷淋单元(32)的分布形式相同的阵列形式分布在所述支撑托盘(21)上。

8.根据权利要求4或5所述的MOCVD装置,其特征在于,所述上支撑盖(31)内形成排气通道(314),所述上支撑盖(31)的上表面形成有排气孔(315),所述排气孔口(313)通过所述排气通道(314)与所述排气孔(315)连通。

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