[发明专利]一种晶圆级封装器件及其封装方法

说明书

本申请公开了一种晶圆级封装器件及其封装方法，所述器件包括：晶圆，包括正面和背面，所述正面设置有焊盘；介质层，覆盖所述晶圆的所述正面，且对应所述焊盘的位置设置有开口；再布线层，包括石墨烯层，所述石墨烯层位于所述介质层远离所述晶圆一侧，且所述石墨烯层透过所述介质层的所述开口与所述焊盘电连接。通过上述方式，本申请能够降低晶圆级封装器件的再布线层电阻。

技术领域

本申请涉及封装技术领域，特别是涉及一种晶圆级封装器件及其封装方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。

晶圆级封装技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品的技术，封装后的尺寸与芯片完全一致。晶圆级封装技术是可以将芯片设计、晶圆制造、封装测试、基板制造整合为一体的技术，是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。

本申请的发明人在长期研究过程中发现，目前晶圆级封装器件的金属再布线层电阻较大，导致晶圆级封装结构的电导效率较低。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种晶圆级封装器件及其封装方法，能够降低晶圆级封装器件的再布线层电阻。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种晶圆级封装器件，所述器件包括：晶圆，包括正面和背面，所述正面设置有焊盘；介质层，覆盖所述晶圆的所述正面，且对应所述焊盘的位置设置有开口；再布线层，包括石墨烯层，所述石墨烯层位于所述介质层远离所述晶圆一侧，且所述石墨烯层透过所述介质层的所述开口与所述焊盘电连接。

其中，所述石墨烯层为单层碳石墨烯或者双层碳石墨烯中任一种。

其中，所述石墨烯层的边缘之外暴露所述介质层邻近边缘的部分。

其中，所述再布线层还包括金属再布线层，所述金属再布线层位于所述石墨烯层和所述介质层之间，且所述金属再布线层延伸入所述介质层的所述开口，以使得所述焊盘、所述金属再布线层、所述石墨烯层电连接。

其中，所述金属再布线层的材质包括铜；和/或，所述金属再布线层的厚度大于等于3微米。

其中，所述器件还包括：第一绝缘层，覆盖所述石墨烯层远离所述晶圆一侧，且所述第一绝缘层对应所述石墨烯层的位置设置有第一过孔；第一种子层，位于所述第二绝缘层远离所述晶圆一侧，且覆盖所述第一过孔；球下金属层，覆盖所述第一种子层远离所述晶圆一侧；焊球，设置于所述球下金属层远离所述晶圆一侧，其中，所述焊球、所述球下金属层、所述第一种子层、所述石墨烯层电连接。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种晶圆级封装器件的封装方法，所述封装方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括正面和背面，所述正面设置有焊盘；在所述晶圆的所述正面形成介质层，且在所述介质层对应所述焊盘的位置设置开口；在所述介质层远离所述晶圆一侧形成再布线层，其中，所述再布线层包括石墨烯层，所述石墨烯层透过所述开口与所述焊盘电连接。

其中，所述在所述介质层远离所述晶圆一侧形成再布线层，其中，所述再布线层包括石墨烯层包括：在所述介质层远离所述晶圆一侧采用化学气相沉积方法形成所述石墨烯层。

其中，所述再布线层还包括金属再布线层；所述在所述介质层远离所述晶圆一侧采用化学气相沉积方法形成所述石墨烯层之前，所述封装方法还包括：在所述介质层远离所述晶圆一侧形成金属再布线层；所述在所述介质层远离所述晶圆一侧采用化学气相沉积方法形成所述石墨烯层，包括：在所述金属再布线层远离所述晶圆一侧采用化学气相沉积方法形成所述石墨烯层。