[发明专利]源漏极离子注入方法及注入系统

权利要求书

1.一种源漏极离子注入方法，其特征在于，包括：

建立机台及在制品信息表；

在当前批次晶圆的下一处理工序为执行源漏极离子注入的工序情况下，执行寻找能够采用连续注入工序对所述晶圆进行源漏极离子注入的离子注入机台；

对找到的离子注入机台进行设定，将分层次注入工序整合成连续注入工序；

根据找到的离子注入机台以及待执行源漏极离子注入工艺的晶圆形成第一派工列表；

根据第一派工列表将晶圆对应分配至所述离子注入机台；以及

所述离子注入机台根据所述连续注入工序对晶圆进行源漏极离子注入。

2.如权利要求1所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，当所述源漏极离子注入的工序为在所述源漏极进行轻掺杂离子注入形成N阱区的工艺时，

所述连续注入工序包括以下过程：

步骤S7.1、所述离子注入机台对待注入的一个晶圆进行Ge离子注入，其他同批次的晶圆在该离子注入机台的真空锁中储存；

步骤S7.2、该晶圆的Ge离子注入工艺完成后，取出放入真空锁中储存，将下一个待注入的单个晶圆运送至等离子注入机台内进行Ge离子注入，重复步骤S7.1～步骤S7.2，直至该批次的所有晶圆均在该离子注入机台中注入了Ge离子；

步骤S7.3、对所述离子注入机台进行设定，将所述离子注入机台的Ge离子源切换为BF2源，依次对该批次晶圆进行BF2离子注入，直至该批次的晶圆均在该离子注入机台中注入了BF2离子；

步骤S7.4、对离子注入机台进行设定，将该离子注入机台的BF2离子源切换为F源，依次对该批次晶圆进行F离子注入，直至该批次的晶圆均在该离子注入机台中注入了F离子。

3.如权利要求2所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，

所述机台信息表定义了适用于机台到机台自动派工的所有离子注入机台，且所述机台信息表中记录有所有离子注入机台的类型，机台编号以及各个机台对应的载货台编号信息；

所述在制品信息表定义了适用于机台到机台自动派工的所有晶圆，且所述在制品信息表中记录有所有晶圆的数量、晶圆批次编号、晶圆编号和处理工序信息。

4.如权利要求3所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，所述机台信息表具有禁止列表，所述禁止列表记录了能够用于注入Ge、BF2和F中的一种或两种元素的离子注入机台的编号。

5.如权利要求4所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，所述能够执行连续注入工序的离子注入机台满足如下条件：不存在于所述禁止列表的中的离子注入机台且所述离子注入机台的类型为中束流离子注入机台。

6.如权利要求1所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，还包括以下过程：当未找到能够执行连续注入工序的离子注入机台时，则重新寻找。

7.如权利要求4所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，还包括以下过程：当未找到能够执行连续注入工序的离子注入机台时，则执行以下操作：

寻找能够进行执行分层次注入工序的离子注入机台；

根据找到的离子注入机台以及待执行源漏极离子注入工艺的晶圆形成第二派工列表；

根据第二派工列表将晶圆对应分配至进行执行分层次注入工序的离子注入机台；

所述离子注入机台对晶圆根据所述分层次注入工序进行离子注入。

8.如权利要求7所述的源漏极离子注入方法，其特征在于，能够执行分层次注入工序的所述离子注入机台满足如下条件：存在于所述禁止列表的中的离子注入机台且所述离子注入机台的类型为中束流离子注入机台。