[发明专利]LED芯片在审
| 申请号： | 201811461246.3 | 申请日： | 2018-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109585624A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陆远林 | 申请（专利权）人： | 仪征市峰皓设备安装工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电层 纳米金属层 荧光粉 电流横向扩展 纳米金属颗粒 纳米银颗粒 接触电阻 纳米银层 有效反射 发光层 纳米银 体电阻 透光率 氧气氛 衬底 回射 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片从下向上依次包括：
衬底；
位于所述衬底上的N型半导体层；
位于所述N型半导体层上的发光层；
位于所述发光层上的P型半导体层；
位于所述P型半导体层上的透明导电层；
位于所述透明导电层上的纳米金属层，所述纳米金属层包括若干纳米金属颗粒；
与所述P型半导体层电性导通的P电极、以及与所述N型半导体层电性导通的N电极。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述纳米金属层为纳米银层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述纳米金属层的厚度为1～10nm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层和透明导电层之间对应于P电极下方区域设有电流阻挡层。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上方设有钝化层。
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