[发明专利]一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811461536.8 申请日: 2018-12-02
公开(公告)号: CN109535657A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 钱立军;邱勇 申请(专利权)人: 北京工商大学
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08G59/14;C08G59/50
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 100048*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 抗冲击 无卤阻燃环氧树脂 苯基硅氧烷 磷杂菲 磷硅 环氧树脂 阻燃环氧树脂材料 电子电器产品 环氧树脂材料 环氧树脂结构 物理机械性能 改性添加剂 抗冲击性能 防火要求 柔性链段 阻燃性能 反应型 有效地 链段 增韧 制备 阻燃 应用
【权利要求书】:

1.一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将磷杂菲/苯基硅氧烷双基大分子DDSi-n加入到环氧树脂中,搅拌升温至DDSi-n完全溶解后,在特定的温度下,加入促进剂,加快DDSi-n上的酚羟基与环氧树脂中的环氧基之间的开环加成反应;

(2)DDSi-n和环氧树脂反应结束后,加入与环氧树脂中剩余环氧基团等当量的固化剂,搅拌至固化剂充分溶解或分散后,先在真空条件下脱除混合体系中的空气,再加热固化,制得磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料。

2.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的磷杂菲/苯基硅氧烷双基大分子DDSi-n的化学结构为:

其中,DDSi-n的聚合度n=1,2,3,4,5……1000。

3.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的环氧树脂是环氧值在0.40-0.60的双酚A二缩水甘油醚型环氧树脂和酚醛环氧树脂中的一种或多种的混合。

4.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的DDSi-n与环氧树脂的质量比为5:100-30:100。

5.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,所述的开环加成反应促进剂为有机氯化膦促进剂。

6.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,所述的促进剂是苄基三苯基氯化膦。

7.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,所述的促进剂与环氧树脂的质量比为0.1:100-2:100。

8.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,所述的特定的温度是120-160℃,开环加成反应时间为0.5-6小时。

9.根据权利要求1所述的一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的固化剂为二氰二胺、4,4’-二氨基二苯砜、线性酚醛树脂和4,4’-二氨基二苯甲烷中的一种或多种的组合;所述的环氧树脂固化温度是100-220℃,固化时间为1-20小时。

10.一种磷硅系抗冲击无卤阻燃环氧树脂材料,其特征在于,采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备获得。

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